爱思开海力士有限公司金镇浩获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114550763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110670813.1，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权半导体存储器装置是由金镇浩;朴泰成;成象铉;吴星来设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列设置在第一半导体层中，并且包括在与第一方向相交的第二方向上排列的多个单元部和至少两个通孔区域，其中，每一个通孔区域在第二方向上的宽度具有与所述多个单元部中的每一个在第二方向上的宽度的倍数相对应的尺寸。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 存储器单元阵列，所述存储器单元阵列设置在第一半导体层中在第一方向上和与所述第一方向相交的第二方向上延伸的基板上，所述存储器单元阵列包括在所述第二方向上排列的多个单元部和至少两个通孔区域， 其中，所述至少两个通孔区域中的每一个在所述第二方向上的宽度是所述多个单元部中的每一个在所述第二方向上的宽度的倍数， 其中，所述多个单元部中的每一个包括交替层叠的多个电极层和多个层间介电层，并且包括在垂直方向上穿过所述多个电极层和所述多个层间介电层的多个垂直沟道，并且 其中，所述第一半导体层包括多个第一狭缝，所述多个第一狭缝在所述第一方向上延伸并且在所述垂直方向上穿过所述多个电极层和所述多个层间介电层，以限定和分离所述多个单元部和所述至少两个通孔区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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