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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成组合件及形成集成组合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556562B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080070482.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权集成组合件及形成集成组合件的方法是由金柄彻;S·索尔斯设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成组合件及形成集成组合件的方法在说明书摘要公布了：一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级及导电层级的垂直堆叠的存储器装置。存储器单元沿着所述导电层级。所述导电层级具有包含第一垂直厚度的控制栅极区域，具有包含小于所述第一垂直厚度的第二垂直厚度的布线区域，且具有介于所述第一垂直厚度与所述第二垂直厚度之间的渐缩过渡区域。电荷阻挡材料邻近于所述控制栅极区域。电荷存储材料邻近于所述电荷阻挡材料。电介质材料邻近于所述电荷存储材料。通道材料沿着所述垂直堆叠垂直延伸且邻近于所述电介质材料。所述存储器单元包含所述控制栅极区域，且包含所述电荷阻挡材料、所述电荷存储材料、所述电介质材料及所述通道材料的区域。一些实施例还包含形成集成组合件的方法。

本发明授权集成组合件及形成集成组合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成结构，其包括： 交替的绝缘层级及导电层级的垂直堆叠； 所述导电层级具有第一垂直厚度的第一区域，具有大于所述第一垂直厚度的第二垂直厚度的端子区域，且具有在所述第一区域与所述端子区域之间的扩口过渡区域； 导电衬层材料，其与所述第一区域、所述端子区域及所述导电层级的所述扩口过渡区域直接接触； 电介质屏障材料，其与所述导电衬层材料直接接触； 电荷阻挡材料，其与所述电介质屏障材料直接接触且邻近所述端子区域； 电荷存储材料，其邻近所述电荷阻挡材料且布置于垂直堆叠的段中，其中所述电荷阻挡材料被配置成连续层，所述连续层在所述电荷存储材料与邻近所述端子区域中的每一者的所述导电衬层材料之间垂直延伸并且具有拥有起伏形貌的侧壁；所述段沿着所述导电层级且通过间隙彼此垂直间隔开； 电介质材料，其邻近所述电荷存储材料；及 通道材料，其邻近所述电介质材料，所述绝缘层级包括延伸于所述导电层级的所述第一区域之上、所述端子区域之上、所述电介质屏障材料之上及所述电荷阻挡材料的部分之上的整体结构内的绝缘材料，所述整体结构包括具有物理接触所述电荷阻挡材料的上、下及侧边缘的端子区域。

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