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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利存储芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011360601.5，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权存储芯片是由何世坤;周亚星;郑泽杰设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储芯片在说明书摘要公布了：本申请提供了一种存储芯片，包括：一次可编程区域，包括第一SOT单元、开关单元和数据读取单元，第一SOT单元的第一端与位线电连接，第一SOT单元的第二端与开关单元的第一端电连接，开关单元的第二端与源极线电连接，开关单元的第三端与字线电连接，第一SOT单元包括接触设置的第一MTJ和第一自旋轨道矩层；数据存储区域，包括第二SOT单元、读单元和写单元，读单元的第一端和写单元的第一端分别与源极线电连接，读单元的第二端与第二SOT单元的第一端电连接，写单元的第二端与第二SOT单元的第二端电连接，第二SOT单元的第三端与位线电连接，第二SOT单元包括接触设置的至少一个第二MTJ和第二自旋轨道矩层。

本发明授权存储芯片在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片，其特征在于，包括： 一次可编程区域，包括第一SOT单元、开关单元和数据读取单元，所述第一SOT单元的第一端与位线电连接，所述第一SOT单元的第二端与所述开关单元的第一端电连接，所述开关单元的第二端与源极线电连接，所述开关单元的第三端与字线电连接，所述数据读取单元与所述开关单元的第一端电连接或者与所述第一SOT单元的第三端电连接，所述第一SOT单元包括接触设置的第一MTJ和第一自旋轨道矩层； 当跨越所述一次可编程区域施加电压时，所述第一SOT单元和所述开关单元的电阻会形成分压器，当跨越所述第一SOT单元的电压高于预设阈值时，所述第一SOT单元的势垒层被击穿，击穿后，所述第一SOT单元短路，所述一次可编程区域处于编程状态，所述一次可编程区域具有第一电阻值，所述开关单元的导通电阻第二电阻值，所述第一电阻值小于所述第二电阻值，所述一次可编程区域输出数据状态为状态1； 对所述第一SOT单元两端的施加电压VSOT由下列方程来决定： 其中，RHM为所述第一自旋轨道矩层垂直于所述第一SOT单元方向的电阻，Rvia为所述第一SOT单元中通孔结构的电阻，RMOS为所述开关单元导通时的电阻，RSOT为所述第一SOT单元的电阻； 数据存储区域，包括第二SOT单元、读单元和写单元，所述读单元的第一端和所述写单元的第一端分别与源极线电连接，所述读单元的第二端与所述第二SOT单元的第一端电连接，所述写单元的第二端与所述第二SOT单元的第二端电连接，所述第二SOT单元的第三端与位线电连接，所述第二SOT单元包括接触设置的至少一个第二MTJ和第二自旋轨道矩层； 所述第二MTJ有多个，多个所述第二MTJ的第二端为第二SOT单元的第一端，所述第二自旋轨道矩层的第二端为所述第二SOT单元的第二端，所述第二自旋轨道矩层的第三端为所述第二SOT单元的第三端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋轨道矩层的第一端电连接。

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