台湾积体电路制造股份有限公司池育德获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体制造设备及制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114594658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210112360.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权半导体制造设备及制造半导体装置的方法是由池育德;陈媺妼;金雅琴;林崇荣;林本坚;林伯禹设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造设备及制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：揭示一种半导体制造设备及制造半导体装置的方法。在一个态样中，设备包括：一支持器，支持器用以放置一基板；及一辐射源，辐射源用于提供辐射以将一图案转移至基板上。设备亦包括多个感测装置，感测装置用以在不存在基板时基于辐射的强度提供一参考信号。设备进一步包括一控制器，控制器能够操作地耦接至感测装置，控制器用以基于参考信号调整辐射的强度。
本发明授权半导体制造设备及制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造设备，其特征在于，包含： 一支持器，用于放置一基板； 一辐射源，用于提供辐射以将一图案转移至该基板上； 多个感测装置，用于在不存在该基板时基于该辐射的一强度提供一参考信号；及 一控制器，操作地耦接至所述多个感测装置，该控制器用于基于该参考信号调整该辐射的该强度， 其中所述多个感测装置中的各感测装置包括一电路，该电路包括由与该参考信号实质上成正比的一充电信号闸控的一第一晶体管，由一重设信号闸控的一第二晶体管，由一控制信号闸控的一第三晶体管； 其中该第一晶体管基于该充电信号高于一临界值而被启动，从而致使该第三晶体管跟随一电信号以提供该参考信号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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