台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司万和舟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利存储器器件的控制电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114613401B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110136033.9,技术领域涉及:G11C11/4074;该发明授权存储器器件的控制电路是由万和舟;杨秀丽;李培乐;吴经纬设计研发完成,并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件的控制电路在说明书摘要公布了:本公开涉及存储器器件的控制电路。一种电路包括:第一反相器、第二反相器、第一头部电路和第二头部电路。所述第一反相器被配置为将第一全局写入信号转换成发送到补码位线的第一本地写入信号。所述第二反相器被配置为将第二全局写入信号转换为发送到位线的第二本地写入信号。所述第一头部电路响应于写入使能信号和所述第二全局写入信号将所述第一反相器的电源端子与正参考电压源连接或断开。第二头部电路响应于写入使能信号和所述第一全局写入信号将所述第二反相器的电源端子与所述正参考电压源连接或断开。
本发明授权存储器器件的控制电路在权利要求书中公布了:1.一种用于控制存储器器件的电路,包括: 第一反相器,被配置为将第一全局写入信号转换成发送到补码位线的第一本地写入信号; 第二反相器,被配置为将第二全局写入信号转换为发送到位线的第二本地写入信号; 第一头部电路,被配置为响应于写入使能信号和所述第二全局写入信号将所述第一反相器的电源端子与正参考电压源连接或断开;以及 第二头部电路,被配置为响应于所述写入使能信号和所述第一全局写入信号将所述第二反相器的电源端子与所述正参考电压源连接或断开。
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