美光科技公司福住嘉晃获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利电容式感测NAND存储器中的感测线结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613408B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111459491.2，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权电容式感测NAND存储器中的感测线结构是由福住嘉晃;藤木润;田中秋二;吉田政史;西户雅信;蒲田佳彦设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容式感测NAND存储器中的感测线结构在说明书摘要公布了：本申请涉及电容式感测NAND存储器中的感测线结构。存储器单元阵列可包含：数据线；源极；在所述数据线和所述源极之间串联连接的多个通过门；多个单元列结构，其各自具有与相应多个经串联连接场效应晶体管串联连接的相应多个经串联连接非易失性存储器单元，其中其相应多个经串联连接非易失性存储器单元中的每个非易失性存储器单元的沟道和其相应多个经串联连接场效应晶体管中的每个场效应晶体管的沟道选择性地彼此连接；以及多个背侧栅极线，其各自连接到所述多个通过门中的相应通过门的所述第二控制栅极。
本发明授权电容式感测NAND存储器中的感测线结构在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元阵列，其包括： 数据线； 源极； 在所述数据线和所述源极之间串联连接的多个通过门，其中所述多个通过门中的每个通过门包括第一沟道、第二沟道、电容耦合到其第一沟道的第一控制栅极、电容耦合到其第二沟道的第二控制栅极、连接到其第一沟道和其第二沟道的第一源极漏极区，及连接到其第一沟道和其第二沟道的第二源极漏极区； 多个单元列结构，其中所述多个单元列结构中的每个单元列结构包括与相应多个经串联连接场效应晶体管串联连接的相应多个经串联连接非易失性存储器单元，其中所述多个经串联连接非易失性存储器单元中的每个非易失性存储器单元的沟道和所述多个经串联连接场效应晶体管中的每个场效应晶体管的沟道选择性地彼此连接；以及 多个背侧栅极线，其中每个背侧栅极线连接到所述多个通过门中的相应通过门的所述第二控制栅极； 其中，对于所述多个单元列结构中的每个单元列结构，其相应多个场效应晶体管中最靠近所述多个通过门中的相应通过门的特定场效应晶体管的所述沟道电容耦合到其相应通过门的所述第一沟道。
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