长江存储科技有限责任公司万浩获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114895532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210519015.3,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记是由万浩;卢绍祥;李伟;郭芳芳;陆聪;轩攀登设计研发完成,并于2020-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记在说明书摘要公布了:本申请实施例公开一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记,其中,所述套刻标记方法包括:在第一材料层上形成N个第一标记,所述每个第一标记包括P个第一子标记,所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状;在所述第一材料层之后形成第二材料层;在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记,所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记;其中,N、P和Q均为大于1的整数,且P大于Q;其中,所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度。
本发明授权一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记在权利要求书中公布了:1.一种套刻标记,其特征在于,包括: 分别沿第一方向和第二方向各设置的至少一个第一标记列,所述第一标记列包括N个第一标记,每个所述第一标记包括多个第一子标记,所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状;其中,所述第一方向和所述第二方向垂直;所述N为大于1的整数; 分别沿所述第一方向和所述第二方向各设置的至少一个第二标记列,所述第二标记列包括与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记,每个所述第二标记包括多个长条状的第二子标记;所述第一标记包括的第一子标记的数量与所述第二标记包括的第二子标记的数量不同; 其中,所述第一标记列设置在第一材料层上,所述第二标记列设置在第二材料层上,所述第二材料层位于所述第一材料层之上;沿所述第一方向的第一标记列位于沿所述第一方向的第二标记列在所述第一材料层上的正投影的内侧,沿所述第二方向的第一标记列位于沿所述第二方向的第二标记列在所述第一材料层上的正投影的内侧,所述第一标记列和所述第二标记列在所述第一材料层上的正投影构成一个整体标记结构,所述内侧为靠近所述整体标记结构的中心点的位置处。
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