湖南三安半导体有限责任公司林栋鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利一种碳化硅晶体的退火方法及其退火用的熔液获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115821395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211635487.1，技术领域涉及：C30B33/02；该发明授权一种碳化硅晶体的退火方法及其退火用的熔液是由林栋鸿;张洁设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶体的退火方法及其退火用的熔液在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶体的退火方法，包括将待处理碳化硅晶体置于包含元素Si、C的熔液中退火。通过控制退火条件，使晶体内部缺陷运动至表面，利用熔液中的Si、C以及特定金属或金属氧化物辅助进行缺陷的修补，同时，熔液中的Si弥补晶体表面Si元素的升华，能避免碳化硅晶体表面产生新的缺陷。
本发明授权一种碳化硅晶体的退火方法及其退火用的熔液在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体的退火方法，其特征在于，包括： 将待处理碳化硅晶体置于包含元素Si、C的熔液中退火；在退火过程中，将所述待处理碳化硅晶体在所述熔液中旋转； 所述熔液中还包含X； 所述X为Al、Ti、Cr、Y、Yb、Pr、Sn、La、Ce中的一种或多种；所述熔液中，Si、C、X的摩尔比为a：b：c，其中，0.30≤a≤0.60,0.30≤b≤0.40,0.05≤c≤0.50，a+b+c＝1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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