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龙图腾网获悉江苏天芯微半导体设备有限公司申请的专利一种硅锗外延层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211565732.6，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权一种硅锗外延层的制备方法是由叶斌设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅锗外延层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅锗外延层的制备方法，包括以下步骤：S1、提供外延设备，设备包括：腔体，腔体内设置有用于承载衬底的基座；加热组件，能够通过改变各加热组件的顶部和底部功率占比使基座的顶部和底部形成温差；S2、确定不同外延层对应的底部功率占比，其中不同外延层的锗浓度不相同；S3、设置底部功率占比为P1及工艺温度，通入工艺气体，在衬底上沉积第一外延层，其中第一外延层的锗浓度为C1；S4、设置底部功率占比为Pn+1及工艺温度，通入工艺气体，在第n外延层上沉积第n+1外延层，其中第n+1外延层的锗浓度为Cn+1；S5、执行所述步骤S4的工艺N次；其中，N≥1且为整数；n＝1、2、……、N‑1、N；Pn+1大于Pn，Cn+1大于Cn，50％＜Pn+1≤90％，通过上述方法能够制备晶格缺陷少的多层硅锗外延层。

本发明授权一种硅锗外延层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅锗外延层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供外延设备，所述外延设备包括：腔体，所述腔体内设置有用于承载衬底104的基座105；加热组件101，分别设置于腔体的顶部以及底部，能够通过改变各加热组件101的顶部和底部功率占比使基座105的顶部和底部形成温差； S2、确定不同外延层对应的底部功率占比，其中不同外延层的锗浓度不相同； S3、设置底部功率占比为P1及工艺温度，通入工艺气体，在衬底104上沉积第一外延层，其中第一外延层的锗浓度为C1；C1是0.01%至5%； S4、设置底部功率占比为Pn+1及工艺温度，通入工艺气体，在第n外延层上沉积第n+1外延层，其中第n+1外延层的锗浓度为Cn+1； S5、执行所述步骤S4的工艺N次； 其中，N≥1且为整数；n=1、2、……、N-1、N；Pn+1大于Pn，Cn+1大于Cn，5%＜Cn+1-Cn＜15%，50%＜Pn+1≤90%； 其中，在步骤S2中，确定不同外延层对应的底部功率占比为：检测不同底部功率占比条件下，具有相同锗浓度的外延层的表面缺陷，选择表面缺陷最少的外延层的底部功率占比为该锗浓度下的外延层对应的底部功率占比；对应的底部功率占比使第n外延层和第n+1外延层之间晶格失配最小。

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