意法半导体(克洛尔2)公司F·罗伊获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利图像和深度像素获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211132166.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像和深度像素是由F·罗伊设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像和深度像素在说明书摘要公布了：传感器包括由被掺杂有第一导电类型的衬底支撑的像素。每个像素包括衬底的由具有图像感测组装件和深度感测组装件的垂直绝缘结构界定的部分。图像感测组装件包括衬底的第一区域和完全横向包围第一区域的第一垂直传输门，该第一区域被更重地掺杂有第一导电类型。深度感测组装件中的每个深度感测组装件包括衬底的第二区域和第二垂直传输门，该第二区域被更重地掺杂有第一导电类型，该第二垂直传输门与第一垂直传输门的对应部分相对。第二区域被布置在第二垂直传输门与第一垂直传输门的相应部分之间。
本发明授权图像和深度像素在权利要求书中公布了：1.一种传感器，包括： 第一导电类型的掺杂半导体衬底； 在所述掺杂半导体衬底中形成的像素阵列； 其中所述阵列中的每个像素被形成在所述掺杂半导体衬底的由垂直绝缘结构横向界定的部分中，并且包括： 图像感测组装件，包括： 在所述掺杂半导体衬底的所述部分中的所述第一导电类型的第一区域，其中所述第一区域与所述掺杂半导体衬底相比被更重地掺杂；以及 完全横向包围所述第一区域的第一垂直传输门；以及 至少两个深度感测组装件，其中每个深度感测组装件包括： 在所述掺杂半导体衬底的所述部分中的所述第一导电类型的第二区域，其中所述第二区域与所述掺杂半导体衬底相比被更重地掺杂；以及 第二垂直传输门，被布置为与所述第一垂直传输门的对应部分相对，其中所述第二区域被布置在所述第二垂直传输门与所述第一垂直传输门的所述对应部分之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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