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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种集成HJD的SiC DMOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842056B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211261003.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种集成HJD的SiC DMOSFET器件及其制备方法是由何艳静;毛雪妮;弓小武;张玉明设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成HJD的SiC DMOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成HJD的SiCDMOSFET器件及其制备方法，包括：从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底区、N‑外延区；第一和第二P‑base区设置于N‑外延区内；第一和第四P+注入区分别设置于第一和第二P‑base区内，第二和第三P+注入区设置于N‑外延区内；第一和第二N+注入区分别设置于第一和第二P‑base区内；N‑PolySi区设置于第二和第三P+注入区间的N‑外延区上；第一和第二N‑PolySi栅极分别设置于第一和第二栅介质层内，第一和第二栅介质层分别设置于指定栅极区域；金属化源极设置于器件上表面。本发明提高了器件性能。

本发明授权一种集成HJD的SiC DMOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成HJD的SiCDMOSFET器件，其特征在于，包括： 从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底区、N-外延区； 第一P-base区和第二P-base区，分别设置于器件两端的所述N-外延区内； 第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区和第四P+注入区，所述第一P+注入区和所述第四P+注入区分别设置于所述第一P-base区和所述第二P-base区内且分别位于器件的左右两端，所述第二P+注入区、所述第三P+注入区设置于所述N-外延区内且所述第一P+注入区靠近所述第二P+注入区、所述第三P+注入区靠近所述第四P+注入区； 第一N+注入区和第二N+注入区，分别设置于所述第一P-base区和所述第二P-base区内且分别邻接所述第一P+注入区、所述第四P+注入区； N-PolySi区，设置于所述第二P+注入区、所述第三P+注入区之间的所述N-外延区上； 第一栅介质层和第二栅介质层，所述第一栅介质层设置于所述第一P-base区、所述N-外延区、部分所述第一N+注入区和部分所述第二P+注入区上，所述第二栅介质层设置于所述第二P-base区、所述N-外延区、部分所述第二N+注入区和部分所述第三P+注入区上； 第一N-PolySi栅极和第二N-PolySi栅极，分别设置于所述第一栅介质层和所述第二栅介质层内； 金属化源极，设置于所述第一P+注入区、所述第二P+注入区、所述第三P+注入区、所述第四P+注入区、所述第一N+注入区、所述第二N+注入区、所述N-PolySi区、所述第一栅介质层和所述第二栅介质层上。

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