嘉兴阿特斯技术研究院有限公司陈曦获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法、电池制备方法及电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111123246.4，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法、电池制备方法及电池是由陈曦;张达奇;吴坚;蒋方丹设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法、电池制备方法及电池在说明书摘要公布了：本发明公开了PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法、电池制备方法及电池，其中，PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法包括如下步骤：以硅烷为反应气体，在硅片衬底上依次沉积第一本征非晶硅膜层和第二本征非晶硅膜层，其中，所述第一本征非晶硅膜层沉积时的沉积速率V1为0.4nms‑1.2nms；第二本征非晶硅膜层沉积时的射频功率W2小于第一本征非晶硅膜层沉积时的射频功率W1；以硅烷和氢气的混合气体为反应气体，在第二本征非晶硅膜层之上沉积成型第三本征非晶硅膜层。本发明实施例避免了射频源从高射频功率骤减为零的情况的出现，进而避免了由于射频功率的骤减在非晶硅薄膜上形成的硅粉层，提升了本征非晶硅薄膜的钝化效果。
本发明授权PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法、电池制备方法及电池在权利要求书中公布了：1.一种PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤： 以硅烷为反应气体，在硅片衬底上依次沉积第一本征非晶硅膜层和第二本征非晶硅膜层，其中，所述第一本征非晶硅膜层沉积时的沉积速率V1为0.4nms-1.2nms；第二本征非晶硅膜层沉积时的射频功率W2小于第一本征非晶硅膜层沉积时的射频功率W1； 所述第一本征非晶硅膜层和第二本征非晶硅膜层均在第一反应腔内沉积成型，且在所述第二本征非晶硅膜层沉积时第一反应腔内的压强降低； 以硅烷和氢气的混合气体为反应气体，在第二反应腔内在第二本征非晶硅膜层之上沉积成型第三本征非晶硅膜层。
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