电子科技大学;钱塘科技创新中心苏一洪获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学;钱塘科技创新中心申请的专利一种具有高口径效率和高口径复用率的双频缝隙天线阵列获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115863973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211413522.5,技术领域涉及:H01Q1/38;该发明授权一种具有高口径效率和高口径复用率的双频缝隙天线阵列是由苏一洪;杨雨蕾;郝新杰;林先其;陈竹梅设计研发完成,并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高口径效率和高口径复用率的双频缝隙天线阵列在说明书摘要公布了:本发明公开一种具有高口径效率和高口径复用率的双频缝隙天线阵列,包括下层介质基板、上层介质基板、金属通孔围成的基片集成波导结构、在基片集成波导所围区域中的缝隙结构、馈电结构,在上层介质基板和下层介质基板的上表面都有馈电结构,并且两个馈电结构分别处于两侧的位置。本发明采用平面式的馈电结构,且高低频两个馈电结构互相不影响,可以达到非常高的端口隔离度,有利于降低天线的剖面高度,使天线更加紧凑、小型化。
本发明授权一种具有高口径效率和高口径复用率的双频缝隙天线阵列在权利要求书中公布了:1.一种具有高口径效率和高口径复用率的双频缝隙天线阵列,其特征在于:包括下层介质基板、上层介质基板、金属通孔围成的基片集成波导结构、在基片集成波导所围区域中的缝隙结构、馈电结构,在上层介质基板和下层介质基板的上表面都有馈电结构,并且两个馈电结构分别处于两侧的位置; 所述的下层介质基板的上下表面覆有金属贴片,上表面加载有天线结构,下表面为地板,该地板同样是下层介质基板上表面的天线结构,贯穿于上下表面的金属化通孔围成了并联的长方形的基片集成波导腔体结构,一共八个并且紧密连列; 所述的上层介质基板的上下表面覆有金属贴片,上表面主要加载天线结构,下表面为地板,由贯穿于上下表面的金属化通孔围成了并联的长方形的基片集成波导腔体结构,一共八个,相邻的基片集成波导结构之间相隔一段距离,露出了下层介质基板的辐射缝隙结构,在该相隔一段距离的范围内的上层介质基板上加载栅格结构; 所述的馈电结构分布在每层基板的上表面,由三部分组成,第一部分是阻抗微带线结构,第二部分为微带线到基片集成波导的过渡结构,为主馈线,第三部分为基片集成波导的串联馈电网络,一侧为主馈线,另一侧为八个与基片集成波导相连的端口; 在每一个基片集成波导结构中的中心线位置等间距的加载八个纵向的缝隙,由此在下层介质基板形成了工作在低频的8×8的缝隙阵列天线; 在每一个长方形的基片集成波导结构中的中心线位置等间距的加载八个纵向缝隙,由此在上层介质基板形成了工作在高频的8×8的缝隙阵列天线并且不阻挡下表面的辐射能量。
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