上海瞻芯电子科技有限公司仲雪倩获国家专利权
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龙图腾网获悉上海瞻芯电子科技有限公司申请的专利垂直型功率半导体器件结构及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211080108.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权垂直型功率半导体器件结构及形成方法是由仲雪倩;陈思哲;黄海涛;张永熙设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直型功率半导体器件结构及形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种垂直型功率半导体器件结构及形成方法，所述方法包括：在衬底的外延层表面区域形成注入掩膜；在注入掩膜两侧，以第一能量、第一剂量及第一角度进行N型离子注入，以得到垂直型功率半导体器件的N+区域，第一角度为N型离子注入方向与外延层所在平面的法线的夹角；在注入掩膜两侧，以第二能量、第二剂量及第二角度对外延层进行P型离子注入，以得到垂直型功率半导体器件的P阱区域，第二角度大于第一角度，第二能量大于第一能量；去除注入掩膜及预设厚度的外延层，以得到目标长度的沟道。本公开实施例可以有效减少工艺的复杂程度，沟道长度及掺杂浓度可灵活调整，实施难度小，成本较低。
本发明授权垂直型功率半导体器件结构及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型功率半导体器件结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底的外延层表面区域形成注入掩膜； 在所述注入掩膜两侧，以第一能量、第一剂量及第一角度进行N型离子注入，以得到所述垂直型功率半导体器件的N+区域，其中，所述第一角度为N型离子注入方向与所述外延层所在平面的法线的夹角； 在所述注入掩膜两侧，以第二能量、第二剂量及第二角度对所述外延层进行P型离子注入，以得到所述垂直型功率半导体器件的P阱区域，其中，所述第二角度为P型离子注入方向与所述外延层所在平面的法线的夹角，所述第二角度大于所述第一角度，所述第二能量大于所述第一能量； 去除所述注入掩膜及预设厚度的外延层，以得到目标长度的沟道。
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