美光科技公司山本展生获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于存储器装置的错误控制方法和设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115917650B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180040852.1,技术领域涉及:G11C11/22;该发明授权用于存储器装置的错误控制方法和设备是由山本展生;唐纳德·马丁·摩根;V·王;郭钟太设计研发完成,并于2021-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器装置的错误控制方法和设备在说明书摘要公布了:本申请案针对于用于存储器装置的错误控制。存储器装置可被配置成执行包含错误控制操作的存储器管理操作。举例来说,存储器装置可被配置成对存储于与存储器阵列的源行耦合的第一存储器单元中的数据执行错误控制操作。所述存储器装置可被配置成基于对所述数据执行所述错误控制操作,将所述数据写入到与所述存储器阵列的所述目标行耦合的第二存储器单元,并且至少部分地基于所述第一存储器单元的所述第一列地址来确定所述管理操作是否完成。所述存储器装置还可基于确定所述管理操作是否完成,产生输出信号以对与所述源行耦合的第三存储器单元执行所述错误控制操作。
本发明授权用于存储器装置的错误控制方法和设备在权利要求书中公布了:1.一种用于存储器装置的错误控制的方法,其包括: 发起管理操作以将信息从所述存储器装置的源行传送到目标行; 至少部分地基于发起所述管理操作,对存储于与所述存储器装置的所述源行耦合的第一存储器单元中的数据执行错误控制操作,所述第一存储器单元位于所述源行的第一列地址和第一行地址处; 至少部分地基于对所述数据执行所述错误控制操作,将所述数据写入到与所述存储器装置的所述目标行耦合的第二存储器单元; 至少部分地基于所述第一存储器单元的所述第一列地址,确定所述管理操作是否完成; 至少部分地基于确定所述管理操作是否完成,产生输出信号以对与所述源行耦合的第三存储器单元执行所述错误控制操作; 至少部分地基于产生所述输出信号,递增与所述源行相关联的列地址计数器;和 至少部分地基于递增所述列地址计数器,识别所述第三存储器单元的第二列地址。
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