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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211556308.5，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件及其制备方法是由郑朝月;陈希明;宋万科;刘欢;杨亚杰;李世彬设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件，包含栅电极、栅绝缘层、铁电极化层、电荷捕获层、有机半导体层、源电极、漏电极，所述栅绝缘层位于栅极的正上方，所述铁电极化层位于栅绝缘层的正上方，所述电荷捕获层位于铁电极化层的正上方，所述有机半导体层位于电荷捕获层的正上方，所述源电极、漏电极位于有机半导体层的正上方。本发明的神经形态器件通过添加铁电极化层和电荷捕获层，使得器件同时具备铁电极化效应及电荷捕获效应，且电学性能稳定，制备成本低，因此，这种同时具有铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件有望在集成多功能器件方面得到推广应用。

本发明授权一种兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件，其特征在于，包含栅电极、栅绝缘层、铁电极化层、电荷捕获层、有机半导体层、源电极、漏电极，所述栅绝缘层位于栅极的正上方，所述铁电极化层位于栅绝缘层的正上方，所述电荷捕获层位于铁电极化层的正上方，所述有机半导体层位于电荷捕获层的正上方，所述源电极、漏电极位于有机半导体层的正上方； 所述的兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1配制聚偏二氟乙烯溶液； 2清洗干净单抛氧化硅片后烘干； 3在步骤2处理的单抛氧化硅片上旋涂聚偏二氟乙烯溶液，将旋涂好的样品进行退火处理； 4在步骤3处理好的样品上依次蒸镀电荷捕获层、有机半导体层、源电极、漏电极，制得兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件； 步骤3所述的旋涂聚偏二氟乙烯溶液，其转速为2000rmin，旋涂时间为2min，聚偏二氟乙烯溶液旋涂前需要经过超声、加热预处理； 样品旋涂完毕后，在150℃温度条件下进行退火处理15min； 步骤4中蒸镀电荷捕获层的蒸镀速率为薄膜厚度控制为10nm；蒸镀有机半导体层的蒸镀速率为薄膜厚度控制为30nm；蒸镀源漏电极的蒸镀速率为电极厚度控制为50nm。

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