西安交通大学王玮获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995483B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211599409.0，技术领域涉及：H10D62/60；该发明授权载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法是由王玮;牛田林;梁月松;陈根强;方培杨;冯永昌;熊义承;王艳丰;林芳;张明辉;问峰;卜忍安;王宏兴;侯洵设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜表面设置有氢终端区域，在其余外延薄膜表面设置有氧终端区域；源电极和漏电极均设置于沟道区域上；源电极、漏电极以及二者之间的沟道区域上设置有栅介质层，栅电极设置在栅介质层和氧终端区域上。本发明在单晶金刚石薄膜中形成重掺杂金刚石薄膜，可提高空穴的迁移率。
本发明授权载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管，其特征在于，包括：金刚石衬底1、单晶金刚石外延薄膜2、栅介质层6、源电极7、漏电极8以及栅电极9； 所述金刚石衬底1上设置有所述单晶金刚石外延薄膜2； 所述单晶金刚石外延薄膜2设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜2表面设置有氢终端区域，在其余单晶金刚石外延薄膜2表面设置有氧终端区域；其中，所述氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域4； 所述源电极7和所述漏电极8均设置于所述沟道区域4上； 所述源电极7、所述漏电极8以及二者之间的沟道区域4上设置有所述栅介质层6； 所述栅电极9设置在所述栅介质层6和所述氧终端区域上。
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