斯兰纳UV科技有限公司P.阿塔纳科维奇获国家专利权
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龙图腾网获悉斯兰纳UV科技有限公司申请的专利基于金属氧化物半导体的发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115997294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180047363.9，技术领域涉及：H10H20/822；该发明授权基于金属氧化物半导体的发光装置是由P.阿塔纳科维奇设计研发完成，并于2021-05-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于金属氧化物半导体的发光装置在说明书摘要公布了：公开了一种光电半导体发光装置，其被配置来发射具有在约150nm至约425nm范围内的波长的光。在实施方案中，所述装置包括基板，所述基板具有设置在其上的至少一个外延半导体层，其中所述一个或多个外延半导体层中的每一个包含金属氧化物。还公开了一种用于产生预定波长的光的光电半导体装置，所述光电半导体装置包括基板和光学发射区域。所述光学发射区域具有被配置用于产生所述预定波长的光的光学发射区域带结构，并且包括由所述基板支撑的一个或多个外延金属氧化物层。
本发明授权基于金属氧化物半导体的发光装置在权利要求书中公布了：1.一种光电半导体发光装置，包括： 基板；以及 布置在基板上的多个外延半导体层，其中所述外延半导体层中的每一个包含外延氧化物，其中所述外延半导体层中的至少一个包含直接带隙类型的光学发射材料，并且其中所述外延半导体层中的至少一个包含Alx1Ga1-x12O3，其中0≤x1≤1，其中所述多个外延半导体层包括： 包括第一导电类型的第一区域； 包括非有意掺杂的NID本征区域的第二区域；以及 包括第二导电类型的第三区域， 其中所述第二区域在所述第一区域与所述第三区域之间， 其中所述基板和所述多个外延半导体层是单晶外延形成的装置， 其中所述光电半导体发光装置被配置成发射具有在150纳米至425纳米范围内的波长的光， 其中所述第一区域、所述第二区域或所述第三区域包含超晶格，并且 其中所述超晶格包括Alx1Ga1-x12O3并且包括Alx2Ga1-x22O3，其中0≤x2≤1，其中x1不等于x2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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