上海岭芯微电子有限公司张宏林获国家专利权
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龙图腾网获悉上海岭芯微电子有限公司申请的专利一种基于功率MOSFET的开关电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116015268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111232495.7,技术领域涉及:H03K17/687;该发明授权一种基于功率MOSFET的开关电路是由张宏林设计研发完成,并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于功率MOSFET的开关电路在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于功率MOSFET的开关电路,包括输入电源、开关和功率MOSFET,所述的电源通过开关连接功率MOSFET的源极,功率MOSFET的漏极为输出端并连接电容,所述的开关前端设有外设供电引脚,所述的功率MOSFET为P型MOSFET,该电路还包括:第一调节子电路,所述的第一调节子电路控制功率MOSFET在开关闭合且输出端电压低于设定阈值时工作于饱和区,所述的电容小电流充电;第二调节子电路,所述的第二调节子电路控制功率MOSFET在开关闭合且输出端电压大于设定阈值时工作于线性区,所述的电容大电流充电。与现有技术相比,本发明避免了外设供电引脚电压的大幅跌落,保证了开关电路供电的可靠性。
本发明授权一种基于功率MOSFET的开关电路在权利要求书中公布了:1.一种基于功率MOSFET的开关电路,包括输入电源、开关和功率MOSFET,所述的电源通过开关连接功率MOSFET的源极,功率MOSFET的漏极为输出端并连接电容一端,所述的电容另一端接地,所述的开关前端设有外设供电引脚,所述的功率MOSFET为P型MOSFET,其特征在于,该电路还包括: 第一调节子电路,所述的第一调节子电路控制功率MOSFET在开关闭合且输出端电压低于设定阈值时工作于饱和区,所述的电容小电流充电; 第二调节子电路,所述的第二调节子电路控制功率MOSFET在开关闭合且输出端电压大于设定阈值时工作于线性区,所述的电容大电流充电。
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