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龙图腾网获悉成都高真科技有限公司申请的专利半导体晶片批处理清洗设备及其化学浴压力控制装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116126059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111338613.2，技术领域涉及：G05D27/02；该发明授权半导体晶片批处理清洗设备及其化学浴压力控制装置是由朴英植设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体晶片批处理清洗设备及其化学浴压力控制装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种批处理清洗设备及其化学浴压力控制装置，包括设置在化学浴底部不同位置的n组化学剂供应管路，以及设置在所述化学浴上侧的n组液面压力传感器；其中，n为大于等于3的正整数；且液面压力传感器与化学剂供应管路一一对应设置；n组液面压力传感器用于检测所述化学浴内部不同位置的压力值；根据检测的所述化学浴内部不同位置的压力值，对化学剂供应管路的化学剂供应流量进行控制，从而将所述化学浴内部压力调节为一致。本发明提出的压力控制装置能够控制化学浴中不同位置的液体压力，从而保持各位置的液体压力一致，防止因压力差而影响晶片的品质。

本发明授权半导体晶片批处理清洗设备及其化学浴压力控制装置在权利要求书中公布了：1.化学浴压力控制装置，其特征在于，包括设置在化学浴13底部不同位置的n组化学剂供应管路，以及设置在所述化学浴13上侧的n组液面压力传感器；其中，n为大于等于3的正整数； 且液面压力传感器与化学剂供应管路一一对应设置； n组液面压力传感器用于检测所述化学浴13内部不同位置的压力值； 根据检测的所述化学浴13内部不同位置的压力值，对化学剂供应管路的化学剂供应流量进行控制，从而将所述化学浴13内部压力调节为一致； 每组所述供应管路由主管路和与主管路连接的两路分支管路构成； 所述主管路位于所述化学浴13外部，两路所述分支管路位于所述化学浴13内部，化学剂通过所述主管路流入，经由两路分支管路喷洒至所述化学浴13中； 所述主管路上设置有液压泵，通过控制所述液压泵的转速可控制分支管路喷洒液体流量大小； 每组液面压力传感器包括对称设置在所述化学浴13左右两侧的2个压力传感器； 还包括控制器； 所述控制器实时获取压力传感器的检测信号； 所述控制器根据获取的检测信号计算得到每组压力传感器的实测压力： 所述控制器根据计算得到的实测压力与压力阈值，发出相应的控制信号控制液压泵的转速，从而对所述化学浴13内部压力进行调节； 所述控制器比较实测压力与压力阈值，如果实测压力大于压力阈值，则发出控制信号控制液压泵降低转速；如果实测压力小于压力阈值，则发出控制信号控制液压泵增大转速；如果实测压力等于压力阈值，则保持液压泵以当前转速继续工作。

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