中国科学院上海微系统与信息技术研究所姜海涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种石墨烯转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116143111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310072241.6，技术领域涉及：C01B32/194；该发明授权一种石墨烯转移方法是由姜海涛;狄增峰;张苗;薛忠营;田子傲设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨烯转移方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种石墨烯转移方法，包括：石墨烯生长、应力层沉积、临时键合胶成膜、衬底贴附、剥离、与目标衬底范德华键合、解键合、清洗、应力层刻蚀。本发明可以获得无掺杂、金属痕迹残留、无破损、无褶皱、原子级平坦的石墨烯，可用于规模化生产、半导体兼容的石墨烯，具有良好的市场应用前景。
本发明授权一种石墨烯转移方法在权利要求书中公布了：1.一种石墨烯转移方法，包括如下步骤： 提供一衬底； 生长石墨烯层于所述衬底的上表面； 沉积应力层于所述石墨烯层的上表面；所述应力层包括金属层或介质层；所述金属层为铜层、镍层、锗层、钛层、铂层中的至少一种，所述介质层为ZrO2、HfO2、Y2O3、Al2O3、MoO3、SiO2中的至少一种； 旋涂临时键合胶于所述应力层的上表面； 在真空环境下，将过渡临时刚性衬底贴附于所述临时键合胶的上表面； 通过机械剥离将所述过渡临时刚性衬底与所述衬底剥离，此时所述石墨烯层、应力层和临时键合胶形成的叠层结构从所述衬底剥离； 在真空环境下，将所述叠层结构与目标衬底完成范德华键合；所述目标衬底为硬性半导体衬底，所述硬性半导体衬底为硅、二氧化硅、锗、碳化硅、氮化硅、III-V、II-V、蓝宝石、ITO、SrTiO3中的至少一种，或者为柔性衬底，所述柔性衬底为聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、弹性体聚合物、热塑性聚合物中的至少一种； 通过解键合，将所述过渡临时刚性衬底分离； 清洗，去除所述临时键合胶； 对所述应力层进行刻蚀，获得目标衬底上的石墨烯结构； 以所述获得目标衬底上的石墨烯结构继续作为目标衬底，通过同样步骤再转移一层石墨烯，即可获得目标衬底上的双层石墨烯；通过多次步骤，即可获得目标衬底上的多层石墨烯。
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