上海华虹宏力半导体制造有限公司杨辉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利快闪存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310326188.8，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权快闪存储器及其制作方法是由杨辉;陈宏;王卉设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本快闪存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种快闪存储器及其制作方法，快闪存储器包括：衬底，衬底上形成有源线，源线两侧的衬底上由下往上依次形成有浮栅结构层和第一侧墙；且第一侧墙位于浮栅结构层靠近源线一侧的上方；隧穿氧化层，隧穿氧化层至少覆盖浮栅结构层远离源线一侧拐角的上表面和侧壁表面；字线，字线位于浮栅结构层远离源线一侧的衬底上方。本发明中，字线通过隧穿氧化层包裹浮栅结构层的拐角，拐角处的包裹性增加，能够提高拐角处的电场强度，进而提高了擦除效果。同时，可降低浮栅结构层的厚度，减小了字线与浮栅的耦合比，利于增大字线与浮栅的压差，从而提高了擦除效果。省去了形成浮栅尖角的复杂工艺，保证了快闪存储器的可靠性。
本发明授权快闪存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种快闪存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上形成有源线，所述源线两侧的衬底上由下往上依次形成有浮栅结构层和第一侧墙；且所述第一侧墙位于所述浮栅结构层靠近所述源线一侧的上方；所述第一侧墙的材料包括介电材料；所述浮栅结构层包括依次位于所述衬底上的浮栅氧化层和浮栅；所述第一侧墙远离所述源线一侧的侧壁上依次形成有隔离层和偏移层； 隧穿氧化层，所述隧穿氧化层至少覆盖所述浮栅结构层远离所述源线一侧拐角的上表面和侧壁表面；所述拐角的宽度与所述拐角的厚度的比值范围为17～13；所述拐角的厚度即所述浮栅的厚度，所述拐角的宽度即所述偏移层和所述隔离层暴露出所述浮栅的宽度； 字线，所述字线位于所述浮栅结构层远离所述源线一侧的衬底上方； 所述字线通过所述隧穿氧化层包裹所述浮栅结构层。
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