百灵达有限公司西蒙·理查德·约翰斯顿获国家专利权
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龙图腾网获悉百灵达有限公司申请的专利电化学传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116209899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180064952.8,技术领域涉及:G01N27/30;该发明授权电化学传感器是由西蒙·理查德·约翰斯顿;史蒂芬·威廉·伯奇;萨曼莎·伦恩;詹姆斯·雅各比尼设计研发完成,并于2021-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本电化学传感器在说明书摘要公布了:本发明涉及用于确定样品中分析物例如游离氯的存在或量的电化学传感器。
本发明授权电化学传感器在权利要求书中公布了:1.一种用于确定样品中分析物的存在或量的电化学传感器,包括: 细长基底层,所述细长基底层具有与第二端相反的第一端; 以基本上平行而相互间隔开的关系轴向沉积到所述基底层上的第一导电轨迹、第二导电轨迹和第三导电轨迹,其中所述第一导电轨迹构成参比电极,其中在所述第二导电轨迹上靠近所述基底层的所述第二端为导电沉积物,由此构成对电极,以及在所述第三导电轨迹上靠近所述基底层的所述第二端为导电沉积物,由此构成工作电极,其中所述第一导电轨迹、所述第二导电轨迹和所述第三导电轨迹中的每一者在所述基底层的所述第一端附近终止于电接触件; 沉积在所述第一导电轨迹、所述第二导电轨迹和所述第三导电轨迹上的非导电层,其中所述非导电层被制造成使靠近所述基底层的所述第一端的各电接触件完全露出,使所述第二导电轨迹上的靠近所述基底层的所述第二端的所述导电沉积物露出,使靠近所述基底层的所述第二端的所述第一导电轨迹露出以及使所述第三导电轨迹的靠近所述基底层的所述第二端的所述导电沉积物的一个或更多个离散工作区域露出;以及 2,2’-连氮基-双3-乙基苯并噻唑啉-6-磺酸ABTS的盐的试剂制剂,所述试剂制剂沉积在所述第三导电轨迹的所述导电沉积物的所述一个或更多个离散工作区域上或附近; 轴向沉积到所述基底层上的第四导电轨迹,其中所述第一导电轨迹、所述第二导电轨迹、所述第三导电轨迹和所述第四导电轨迹处于基本上平行而相互间隔开的关系,其中在所述第四导电轨迹上靠近所述基底层的所述第二端为导电沉积物,由此所述第三导电轨迹和所述第四导电轨迹构成工作电极对,其中所述第四导电轨迹在所述基底层的所述第一端附近终止于电接触件,其中,所述非导电层沉积在所述第四导电轨迹上,并且使得所述第四导电轨迹的所述导电沉积物的一个或更多个离散工作区域完全露出,其中在所述第四导电轨迹的所述导电沉积物的所述一个或更多个离散工作区域上或附近沉积另外的试剂制剂; 其中所述另外的试剂制剂为TMB、DPD、邻联甲苯胺或丁香醛连氮的另外的试剂制剂;以及 其中,所述2,2’-连氮基-双3-乙基苯并噻唑啉-6-磺酸的盐的试剂制剂仅沉积在第三导电轨迹上,以及所述另外的试剂制仅沉积在第四导电轨迹上。
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