浙江睿熙科技有限公司杨通辉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江睿熙科技有限公司申请的专利用于单点VCSEL的控制电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116222767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211629731.3,技术领域涉及:G01J1/44;该发明授权用于单点VCSEL的控制电路是由杨通辉;姚毅飞;王立;李念宜;刘赤宇;汪辰杲设计研发完成,并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于单点VCSEL的控制电路在说明书摘要公布了:公开了一种用于单点VCSEL的控制电路,其包括第一充电支路和第二充电支路,其中,所述第一充电支路包括第一电源单元和场效应晶体管,单点VCSEL适于串联于所述第一电源单元和所述场效应晶体管之间,所述单点VCSEL形成第一电阻,所述场效应晶体管形成第一电容,所述第二充电支路并联于所述场效应晶体管,所述第二充电支路包括第二电阻和第二电容。在场效应晶体管从导通态切换为关断态的过程中,并联于场效应晶体管的充电电路两端的电压始终大于零,使得场效应晶体管两端的电压大于零。这样,在场效应晶体管关断后需要充满电的时间缩短,将电流波形和单点VCSEL的脉宽控制在指定脉宽范围内,能够较为准确的测试所述单点VCSEL的光功率。
本发明授权用于单点VCSEL的控制电路在权利要求书中公布了:1.一种用于单点VCSEL的控制电路,其特征在于,包括:第一充电支路,包括第一电源单元和场效应晶体管,单点VCSEL适于串联于所述第一电源单元和所述场效应晶体管之间,所述单点VCSEL形成第一电阻,所述场效应晶体管形成第一电容;和并联于所述场效应晶体管的第二充电支路,包括第二电阻和第二电容。
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