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龙图腾网获悉新奥科技发展有限公司申请的专利一种线下分析粉末电离条件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111507562.1，技术领域涉及：H01J37/317；该发明授权一种线下分析粉末电离条件的方法是由张国松;田小让;赵鑫;吴超;李全设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种线下分析粉末电离条件的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种线下分析粉末电离条件的方法，包括以下步骤：在等离子体装置的靶板上放置硅片。令等离子体装置在预设的粉末电离条件产生等离子体束流。向等离子体装置中注入粉末，以使得等离子体束流对粉末进行轰击，直至粉末注入完成。检测是否满足第一条件和第二条件，其中，第一条件包括有至少70％的注入等离子体装置的粉末在等离子体束流对粉末进行轰击时消融发亮和或硅片上形成镀膜。第二条件包括镀膜的成分中含有粉末的元素形成的化学键和或检测到粉末在等离子体束流对粉末进行轰击时被电离产生的谱线。若满足第一条件和第二条件，则判定粉末有效电离。否则，判定粉末未有效电离。本申请的方法可以获得硼粉硼化的基础研究数据。

本发明授权一种线下分析粉末电离条件的方法在权利要求书中公布了：1.一种线下分析粉末电离条件的方法，其特征在于，包括以下步骤： 在等离子体装置的靶板上放置硅片； 令所述等离子体装置在预设的粉末电离条件产生等离子体束流； 向所述等离子体装置中注入粉末，以使得所述等离子体束流对所述粉末进行轰击，直至所述粉末注入完成； 检测是否满足第一条件和第二条件；其中，所述第一条件包括：注入所述等离子体装置的所述粉末中，至少70%的所述粉末在所述等离子体束流对所述粉末进行轰击时消融发亮和或所述硅片上形成镀膜；所述第二条件包括：所述镀膜的成分中含有所述粉末的元素形成的化学键和或检测到所述粉末在所述等离子体束流对所述粉末进行轰击时被电离产生的谱线；若满足所述第一条件和所述第二条件，则判定所述粉末有效电离；否则，判定所述粉末未有效电离，实现所述粉末电离条件的分析； 其中，所述等离子体束流为氢等离子体束流时，所述氢等离子体束流的密度为1018m-3，通量为1023m-2*s-1；所述等离子体束流为氦等离子体束流或氩等离子体束流时，所述氦等离子体束流或所述氩等离子体束流的密度为1019m-3，通量为1024m-2*s-1； 所述等离子体装置的电子温度为1~2eV；所述等离子体束流为氩等离子体束流时，所述等离子体装置的偏压为-20V； 所述粉末为硼粉时，所述硼粉的粒径为70μm；所述硼粉的注入速率为15mgs；所述硼粉的注入时间为2s。

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