南亚科技股份有限公司庄景诚获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有不同高度的图案的半导体元件结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264155B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210867462.8，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权具有不同高度的图案的半导体元件结构的制备方法是由庄景诚设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有不同高度的图案的半导体元件结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件结构的制备方法，包括形成一目标层于一半导体基板之上，以及形成一能量敏感层于该目标层之上。该方法也包括进行一第一能量处理制程以形成一第一处理部分于该能量敏感层中，以及进行一第二能量处理制程以形成一第二处理部分于该能量敏感层中。该方法更包括移除该第一处理部分和该第二处理部分以形成一第一开口和一第二开口于该能量敏感层中，以及转移该第一开口和该第二开口至该目标层中。
本发明授权具有不同高度的图案的半导体元件结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构的制备方法，包括： 形成一目标层于一半导体基板之上； 形成一能量敏感层于该目标层之上； 进行一第一能量处理制程以形成多个第一处理部分于该能量敏感层中； 进行一第二能量处理制程以形成多个第二处理部分于该能量敏感层中，其中所述第一处理部分具有一第一高度，且所述第二处理部分具有一第二高度，其中该第二高度大于该第一高度； 移除所述第一处理部分和所述第二处理部分以分别形成多个第一开口和多个第二开口于该能量敏感层中，其中该能量敏感层中的所述第一开口的底表面高于该能量敏感层中的所述第二开口的底表面； 转移所述第一开口和所述第二开口至该目标层中以分别形成多个第三开口和多个第四开口，其中该目标层中的所述第三开口的底表面高于该目标层中的所述第四开口的底表面； 转移所述第三开口和所述第四开口至该半导体基板中以分别形成多个第五开口和多个第六开口，其中该半导体基板中的所述第五开口的底表面高于该半导体基板中的所述第六开口的底表面；以及 以一隔离结构填充所述第五开口和所述第六开口， 其中该第一能量处理制程和该第二能量处理制程为电子束写入制程。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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