哈尔滨工业大学胡平安获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116265625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211455347.6，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用是由胡平安;张欣;苏震;田雨晴;杨红影;杜星颖;刘俊磊设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用在说明书摘要公布了：一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用。本发明属于二维薄膜材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法获得的氮化硼薄膜尺寸仅能达到微米级以及生长取向不一致的技术问题。本发明采用CVD工艺，将液态生长衬底置于生长区，将固态源置于源区，在还原气氛下进行薄膜的生长，通过控制生长时间调控单晶氮化硼薄膜的层数，得到高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜。本发明的制备方法通过简单改变工艺参数即可实现氮化硼薄膜层数控制，且生长的晶圆级薄膜层数均一，不同区域内的层数保持一致，粗糙度低，可控性较好，通过对生长时间的精确控制实现了单晶氮化硼薄膜的层数可控制备。
本发明授权一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高质量、晶圆级单晶氮化硼薄膜的可控制备方法，其特征在于，该方法按以下步骤进行： 采用CVD工艺，将液态生长衬底置于生长区，将固态源置于源区，在还原气氛下进行薄膜的生长，通过控制生长时间调控单晶氮化硼薄膜的层数，得到高质量、晶圆级单晶氮化硼薄膜； 其中，生长区温度控制在1100℃，源区温度控制在70-80℃，生长时间为6-25min； 液态生长衬底为液态铜； 固态源为硼烷氨络合物； 还原气氛由氢气和氩气按9：100的体积比组成； 液态生长衬底由金属箔经清洗、抛光和退火液化获得； 退火液化的温度为1100℃，时间为30min； 退火液化在与生长过程相同的还原气氛下进行。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学，其通讯地址为：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励