西安唐晶量子科技有限公司龚平获国家专利权
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龙图腾网获悉西安唐晶量子科技有限公司申请的专利一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111573172.4，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法是由龚平;杨宇博;夏天文;吴旗召设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种界面极性偏转的InGaPGaAs异质结双极型晶体管及其制备方法，方法包括：在衬底层上制备成核层；在成核层上制备集电极欧姆接触层；在集电极欧姆接触层上制备刻蚀阻止层；在刻蚀阻止层上制备集电极过渡层；在集电极过渡层上制备第一集电区层；在第一集电区层上制备第二集电区层；在第二集电区层上制备p+GaAs基区层；在p+GaAs基区层上制备n‑InGaP发射区层；在n‑InGaP发射区层上制备第一帽层；在第一帽层上制备第二帽层。本发明解决了现有器件的导带能带和价带能带差低，电流增益较小导致的性能降低的问题。
本发明授权一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种界面极性偏转的InGaPGaAs异质结双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 选取衬底层1； 在所述衬底层1上制备成核层2； 在所述成核层2上制备集电极欧姆接触层3； 在所述集电极欧姆接触层3上制备刻蚀阻止层4； 在所述刻蚀阻止层4上制备集电极过渡层5； 在所述集电极过渡层5上制备第一集电区层6； 在所述第一集电区层6上制备第二集电区层7； 在所述第二集电区层7上制备p+GaAs基区层8； 在所述p+GaAs基区层8上制备n-InGaP发射区层9，所述p+GaAs基区层8和所述n-InGaP发射区层9之间形成所述n-InGaP发射区层9的GaIn面与所述p+GaAs基区层8的Ga面接触的InGaPGaAs异质结； 在所述n-InGaP发射区层9上制备第一帽层10； 在所述第一帽层10上制备第二帽层11。
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