长鑫存储技术有限公司耿世奎获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310194218.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构是由耿世奎设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：基底，基底包括相邻的第一阱区和第二阱区；第一晶体管，第一晶体管包括位于第一阱区的部分基底上的第一栅极以及位于第一栅极相对两侧的第一掺杂区，第一掺杂区位于第一阱区内；第一保护栅极，第一保护栅极位于第一阱区，且第一保护栅极在基底表面的正投影至少与第二阱区在基底表面的正投影相接；第二掺杂区，第二掺杂区位于第一保护栅极远离第二阱区的一侧，且位于第一阱区内，第二掺杂区与第一掺杂区的导电类型相同且与第一掺杂区电绝缘，其中，第二掺杂区与第一栅极电连接。本公开实施例提供的半导体结构至少有利于提高半导体结构的稳定性。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括相邻的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区内的掺杂离子类型与所述第二阱区内的掺杂离子类型不同； 第一晶体管，所述第一晶体管包括位于所述第一阱区的部分所述基底上的第一栅极以及位于所述第一栅极相对两侧的第一掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第一阱区内； 第一保护栅极，所述第一保护栅极位于所述第一阱区，且所述第一保护栅极在所述基底表面的正投影至少与所述第二阱区在所述基底表面的正投影相接； 第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一保护栅极远离所述第二阱区的一侧，且位于所述第一阱区内，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区的导电类型相同且与所述第一掺杂区电绝缘，所述第二掺杂区在所述基底表面的正投影与所述第一保护栅极在所述基底表面的正投影相交，其中，所述第二掺杂区与所述第一栅极电连接。
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