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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314333B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310263723.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构是由周新田;李明伟;贾云鹏;胡冬青;吴郁设计研发完成，并于2023-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiCMOSFET结构，从下至上依次为漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、电流扩展层、P‑base区；P‑plus区，N‑source区均位于所述P‑base区预设区域的上表面，并相互并排，N‑source区位于左侧；栅极沟槽贯穿N‑source区、P‑base区，与电流扩展层接触，栅氧位于栅极沟槽内部；肖特基超势垒二极管沟槽贯穿P‑base区，与电流扩展层接触，肖特基超势垒二极管氧化层位于肖特基超势垒二极管沟槽内部。本发明有效抑制双极退化效应，使器件的功耗大大降低,还具有优秀的栅电荷特性、电容特性、反向恢复特性，以及较高的雪崩能力及短路能力的特点。

本发明授权一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构在权利要求书中公布了：1.一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiCMOSFET结构，其特征在于，包括： N-漂移区3； N+衬底区2，位于所述N-漂移区3的下表面； 漏极金属1，位于所述N+衬底区2的下表面； 电流扩展层CSL4，位于所述N-漂移区3的上表面； P-base区7，位于所述电流扩展层4上表面； P-plus区9，位于所述P-base区7预设区域的上表面； N-source区10，位于所述P-base区7预设区域的上表面，与P-plus区9并排，并位于其左侧； 栅极沟槽贯穿N-source区10、P-base区7，与电流扩展层4接触，栅氧11位于栅极沟槽内部； 多晶硅栅6位于所述栅氧11的上表面，其顶部与N-source区10平齐； 肖特基超势垒二极管沟槽贯穿P-base区7，与电流扩展层4接触，肖特基超势垒二极管氧化层13位于肖特基超势垒二极管沟槽内部； 隔离氧12，位于所述多晶硅栅6、部分N-source区10的上表面； 源极金属8，位于所述隔离氧12、部分N-source区10、P-plus区9、部分P-base区7、肖特基超势垒二极管氧化层13的上表面； P-shielding区分为两部分，左侧P-shielding区5-1、右侧P-shielding区5-2，左侧P-shielding区5-1位于所述电流扩展层4预设区域的内部，所述栅氧11的下表面，右侧P-shielding区5-2位于所述电流扩展层4预设区域的内部，所述肖特基超势垒二极管氧化层13的下表面，且各部分P-shielding区均接地。

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