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龙图腾网获悉瑞声科技(新加坡)有限公司申请的专利一种声学传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116358689B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310200266.X，技术领域涉及：G01H11/08；该发明授权一种声学传感器及其制备方法是由吴健兴;李仲民;但强;黎家健设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种声学传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种声学传感器及其制备方法，声学传感器包括：基底单元，基底单元包括自下而上依次层叠的第一硅层、第一氧化层以及第二硅层，基底单元内形成有背腔；第二氧化层；压电单元，压电单元包括自下而上依次层叠的第一电极层、压电层以及第二电极层，压电单元内形成有狭缝以及开口；金属垫；附加膜层，包括第一部分、第二部分以及第三部分，第一部分形成于狭缝内，第一部分的侧壁贴合于狭缝的内壁面，第一部分的底壁覆盖于狭缝的底部敞口处，侧壁和底壁围成顶部开口的凹槽。与现有技术相比，本发明可以有效提高SPL和结构可靠性，附加膜层的厚度均匀分布在压电单元的表面，适应于较大面积的声学传感器。

本发明授权一种声学传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种声学传感器，其特征在于，包括： 基底单元，所述基底单元包括自下而上依次层叠的第一硅层、第一氧化层以及第二硅层，所述基底单元内形成有背腔，所述背腔依次贯穿所述第一硅层以及所述第一氧化层，所述第二硅层经由所述背腔暴露； 第二氧化层，形成于所述基底单元上；压电单元，形成于所述第二氧化层上，所述压电单元包括自下而上依次层叠的第一电极层、压电层以及第二电极层； 狭缝，所述狭缝开设于所述第二电极层的中部，所述狭缝依次贯穿所述第二电极层、所述压电层、所述第一电极层、所述第二氧化层以及所述第二硅层； 开口，所述开口开设于所述第二电极层的边缘，所述开口依次贯穿所述第二电极层以及所述压电层，所述第一电极层经由所述开口暴露； 金属垫，所述金属垫层叠于所述开口处的所述第一电极层上； 附加膜层，包括第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分形成于所述狭缝内，所述第一部分的侧壁贴合于所述狭缝的内壁面，所述第一部分的底壁覆盖于所述狭缝的底部敞口处，所述侧壁和所述底壁围成顶部开口的凹槽，所述第二部分形成于所述第二电极层上，所述第三部分形成于所述开口内，并包裹所述金属垫，所述第三部分上形成有贯穿所述第三部分的通槽，所述金属垫与所述通槽的位置相对应，所述金属垫经由所述通槽暴露； 所述第一部分、所述第二部分与所述第三部分的厚度相同，所述第一部分、所述第二部分与所述第三部分内各处的厚度均保持一致。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞声科技(新加坡)有限公司，其通讯地址为：新加坡淡滨尼工业湾22号3楼1室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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