南京大学何程获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种利用二维旋磁光子晶体实现拓扑角态开关的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116400523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310335954.7，技术领域涉及：G02F1/095；该发明授权一种利用二维旋磁光子晶体实现拓扑角态开关的方法是由何程;周严琛;谢建斓;陈延峰设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用二维旋磁光子晶体实现拓扑角态开关的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种利用二维旋磁光子晶体实现拓扑角态开关的方法，所述方法包括以下步骤：1所述二维旋磁光子晶体具有二维正方晶格，将二维正方晶格分为子晶格A和子晶格B，子晶格A和子晶格B间隔分布；仅对子晶格A外加一定磁场，打开体能带带隙；2基于步骤1的二维正方晶格结构，以两种不同边界和完美电导体边界能构造两种正方形结构的正方模型，在磁场的作用下这两种正方模型具有两种不同的拓扑磁角态；3开启或撤销局部磁场，以实现拓扑磁角态的开关。本发明在磁光光子晶体体系中实现了磁拓扑角态，并且这种可开关的磁拓扑角态也将为高阶拓扑开关等光学器件的设计提供新的思路以及指导意义。
本发明授权一种利用二维旋磁光子晶体实现拓扑角态开关的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用二维旋磁光子晶体实现拓扑角态开关的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 1基于二维旋磁光子晶体实现可开关拓扑磁角态，所述二维旋磁光子晶体具有二维正方晶格，将二维正方晶格分为子晶格A和子晶格B，子晶格A和子晶格B间隔分布；仅对子晶格A外加一定磁场，打开体能带带隙； 2基于步骤1的二维正方晶格结构，分别以flat边界或zigzag边界加上完美电导体边界构造两种正边形结构的正方模型，在步骤1中的磁场的作用下这两种正方模型具有两种不同的拓扑磁角态：flat边界正方模型具有位于type-I角上的拓扑磁角态，zigzag边界正方模型具有位于type-III上的拓扑磁角态； 3撤销正方模型拐角上的磁场，以关闭相应的拓扑磁角态；开启正方模型拐角上的磁场，以打开相应的拓扑磁角态；开启或撤销角部区域的局部磁场，以实现拓扑磁角态的开关。
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