中国电子科技集团公司第十二研究所李娜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十二研究所申请的专利一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116511519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310375692.7,技术领域涉及:B22F9/24;该发明授权一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用是由李娜;张培先;张珂;邵文生;全京敏;梁晓峰设计研发完成,并于2023-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用,所述含铬发射活性材料包括:铬、钡、钙、铝、碳、氢和氧元素,其中,所述铬、钡、钙、铝的摩尔比为1‑36:18‑40:1‑15:2‑45。本发明研制的含铬发射活性材料与传统铝酸钡钙发射材料相比,创新性的引入了铬元素,在阴极工作过程中铬作为活性元素钡的载体,使其制备的覆膜扩散阴极在发射性能上显著优于普通覆膜扩散阴极。并且该含铬发射活性材料的制备工艺简单,重复性好,具备真空电子器件领域推广应用的潜力。
本发明授权一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种覆膜扩散阴极用含铬发射活性材料,其特征在于,所述含铬发射活性材料中包括:铬、钡、钙、铝、碳、氢和氧元素; 所述铬、钡、钙和铝的摩尔比为1-36:18-40:1-15:2-45; 所述含铬发射活性材料的制备包括以下步骤: 1按比例称取铬、钡、钙、铝的可溶性盐,溶于溶剂配置成混合盐溶液; 2将所述混合盐溶液与碳酸铵溶液混合,搅拌反应,得到悬浊液,过滤获得含铬发射活性材料前驱体; 3烘干所述含铬发射活性材料前驱体,得到含铬发射活性材料,其主要成分包括铬酸钡。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十二研究所,其通讯地址为:100015 北京市朝阳区酒仙桥路13号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励