SK恩普士有限公司朴韩址获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉SK恩普士有限公司申请的专利半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116568772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180083214.8，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法是由朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光用组合物的半导体器件的制造方法，其中，就包含抛光颗粒、加速剂和稳定剂的本发明的抛光组合物而言，将抛光组合物在60℃以上长时间储存后，粒子间也不会发生凝集现象，故长时间储存稳定性优异；并且作为应用于非晶质碳膜Amorphouscarbonlayer的抛光工艺中的抛光组合物，能够表现出高抛光率，还能防止抛光工艺中产生的碳残留物Carbonresidue吸附在半导体基板上，并能防止抛光垫的污染。此外，本发明还能够提供一种适用半导体工艺用抛光组合物的半导体器件的制造方法。
本发明授权半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺用抛光组合物，其中， 所述抛光组合物包含： 抛光颗粒； 加速剂；以及 稳定剂， 所述抛光颗粒的平均直径为70nm至120nm， 利用所述抛光组合物，在2psi、载体速度为87rpm、平台速度为93rpm、抛光组合物的流入流速为200mlmin的抛光条件下，对厚度为2000埃的非晶质碳膜进行60秒的抛光工艺，测得的对所述非晶质碳膜的抛光速率为110埃分钟至250埃分钟， 并且，由以下式1表示的凝集指数为0.5至5： [式1] , 其中，所述Sai是通过动态光散射粒度分析仪测量的包含于半导体工艺用抛光组合物中的抛光颗粒的平均粒径， 所述Saf是将半导体工艺用抛光组合物在60℃下保持17小时，然后在15℃至25℃下冷却后，通过动态光散射粒度分析仪测量的包含于所述抛光组合物中的抛光颗粒的平均粒径。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人SK恩普士有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励