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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种圆极化天线阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116632536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310632830.5，技术领域涉及：H01Q1/52；该发明授权一种圆极化天线阵列及其制备方法是由陈畅;陈卫东;张祥;丁宇航设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种圆极化天线阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种圆极化天线阵列及其制备方法。圆极化天线阵列上方安装有一个超表面覆盖结构，且之间设计高度为6.5mm空气层。超表面覆盖结构包括绝缘介质层一以及分别固定在绝缘介质层一相对两侧上的上层金属阵列、下层金属阵列。上层金属阵列的多个下层金属与下层金属阵列的多个上层金属在绝缘介质层一上的位置上、下一一对应。每个上层金属上开设有两条横向缝隙、两条纵向缝隙、中间缝隙；每个下层金属呈倾斜的十字架状。本发明设计的圆极化天线阵列能在相邻天线间引入间接耦合场，与原耦合场进行场合并相消，达到解耦作用，适用在阵元间距非常近的微带圆极化天线阵列中。解耦后的圆极化天线阵列可以降低天线间的耦合，同时改善单元的辐射性能。

本发明授权一种圆极化天线阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种圆极化天线阵列，其特征在于，所述圆极化天线阵列上方安装有一个超表面覆盖结构，所述超表面覆盖结构与所述圆极化天线阵列之间设计为空气层，所述空气层的高度为6.5mm；所述超表面覆盖结构包括绝缘介质层一2以及分别固定在绝缘介质层一2相对两侧上的上层金属阵列、下层金属阵列，且所述下层金属阵列面向所述圆极化天线阵列； 其中，所述上层金属阵列包括层阵列式分布的多个上层金属1，每个上层金属1上开设有均贯穿相应上层金属1横向上的相对两端的两条横向缝隙11、均贯穿相应上层金属1纵向上的相对两端的两条纵向缝隙12、在两条纵向缝隙12之间且与两条纵向缝隙12平行的中间缝隙13；中间缝隙13的两端均穿过两条横向缝隙11但中间缝隙13的长度小于两条纵向缝隙12的长度； 所述下层金属阵列包括层阵列式分布的多个下层金属3，多个下层金属3与多个上层金属1在绝缘介质层一2上的位置上、下一一对应；每个下层金属3呈倾斜的十字架状；每个下层金属3的长轴是由边长为Amm的正方向贴片，蚀刻掉对角两个边长为Bmm的等边直角三角形剩余而成；每个下层金属3的短轴是由边长为Cmm的正方向贴片，蚀刻掉对角两个边长为Dmm的等边直角三角形剩余而成；A∶B∶C∶D为5.6∶4.4∶3.6∶2.8。

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