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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体激光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116648837B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180062640.3，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权半导体激光装置是由鴫原君男设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体激光装置在说明书摘要公布了：本公开的半导体激光装置具备：层叠于半导体基板2之上的第一导电型的包覆层3、第一导电型侧的光引导层61、活性层7、第二导电型侧的光引导层81、第二导电型的包覆层11以及第二导电型的接触层14；谐振器，由前端面和后端面构成；以及脊区域，在前端面与后端面之间对激光进行导波，该半导体激光装置的特征在于，脊区域由脊内侧区域和脊外侧区域构成，脊内侧区域的有效折射率为nai，脊外侧区域设置于脊内侧区域的两侧，有效折射率为nao，并且具有电流非注入构造，脊外侧区域宽度的Wo大于从电流非注入构造的下端部到活性层的距离。

本发明授权半导体激光装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光装置， 具备： 第一导电型的半导体基板； 层叠于所述第一导电型的半导体基板之上的第一导电型的包覆层、第一导电型侧的光引导层、活性层、第二导电型侧的光引导层、第二导电型的包覆层以及第二导电型的接触层； 谐振器，由使激光往复的前端面和后端面构成；以及 脊区域，在所述前端面与所述后端面之间对所述激光进行导波，且宽度由2W表示， 所述半导体激光装置的振荡波长为λ，在所述各层的层叠方向上允许一阶以上的高阶模式， 其特征在于， 所述脊区域由脊内侧区域和脊外侧区域构成， 所述脊内侧区域的宽度由2Wi表示，且有效折射率为nai， 所述脊外侧区域设置于所述脊内侧区域的两侧，宽度由Wo表示，有效折射率为nao，并且具有电流非注入构造， 在所述脊外侧区域的两侧，至少除去所述第二导电型的接触层以及所述第二导电型的包覆层，而设置有效折射率为nc的包覆区域， 所述脊内侧区域与所述脊外侧区域的平均折射率nae表示为： [数1] 范数1nai·Wi+nao·WoWi+Wo 并满足以下关系： [数2] 范数2 所述脊外侧区域的宽度亦即Wo大于从所述电流非注入构造的下端部到所述活性层的距离，且小于所述脊区域的宽度的12亦即W。

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