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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121215573B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511774019.6，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀方法及装置是由田文康;杜思昌;范雄;原国栋;王兆丰;王世宽设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提出了实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀方法及装置，属于半导体制造技术领域。实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀的装置包括：密封室、连接在密封室底部的分气盘、设置在密封室内的多组电动推杆和多个密封件；分气盘上具有多个独立隔离区；多个密封件与多个独立隔离区数量、位置和形状相匹配，每个密封件连接有一组电动推杆；电动推杆能够带动密封件升降，改变通入相应独立隔离区的气体流量。本发明能够将工艺气体精准地分配到晶圆上方的多个独立可控区域，通过实时、独立地调节每个区域的气体通量以显著提升晶圆刻蚀的均匀性。

本发明授权实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀方法及装置在权利要求书中公布了：1.实现工艺气体空间分布精细控制的刻蚀方法，其特征在于，基于工艺气体空间分布精细控制装置实现，装置包括：密封室、连接在密封室底部的分气盘、设置在密封室内的多组电动推杆和多个密封件；密封室顶部连接有气体输送管路；分气盘上设置有多个均匀分布的排气孔，分气盘上具有多个独立隔离区；多个密封件与多个独立隔离区数量、位置和形状相匹配，每个密封件连接有一组电动推杆；电动推杆能够带动密封件升降，改变通入相应独立隔离区的气体流量；方法包括如下步骤： 步骤1，将各组电动推杆及其连接的密封件调整到同一高度，工艺气体通过工艺气体输送管路被输送至密封室内分气盘上方的公共密封区，随后工艺气体通过各个独立隔离区经由分气盘的各排气孔排出，对晶圆进行刻蚀； 步骤2，检测晶圆的均匀性，根据检测结果控制各组电动推杆升降，令部分密封件下降和或另一部分密封件上升，改变上升或下降的密封件下边缘与相应独立隔离区侧壁上边缘之间的距离，从而改变通入相应独立隔离区的气体流量；具体包括： 对步骤1中刻蚀量较大的区域，控制该区域上方电动推杆带动密封件向下运动，减小或完全关闭密封件与下方独立隔离区侧壁上边缘之间的缝隙，减少独立隔离区的气体流量，降低独立隔离区垂直覆盖的晶圆的刻蚀速率；对步骤1中刻蚀量较小的区域，控制该区域上方电动推杆带动密封件向上运动，增大密封件与下方独立隔离区侧壁上边缘之间的缝隙，增加流向独立隔离区的气体流量，提高独立隔离区垂直覆盖的晶圆的刻蚀速率； 通入工艺气体，对新晶圆进行刻蚀。

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