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龙图腾网获悉江苏永鼎股份有限公司申请的专利一种DFB激光器中有源区的防氧化处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121307620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511877514.X，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权一种DFB激光器中有源区的防氧化处理方法是由莫思铭;周莉;王俊斐;杨陈浩设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种DFB激光器中有源区的防氧化处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种DFB激光器中有源区的防氧化处理方法，包括：首先在暴露出AlInGaAs有源区侧壁的刻蚀面上，通过多硫化铵溶液处理形成硫化物钝化保护层；随后施加有机硅前驱体蒸汽与臭氧的混合气体进行气相处理，在保护层表面及边缘构建硅氧烷基交联网络，形成机械强化的复合保护层；最后在含磷源气氛中，采用特定波长的近红外激光脉冲扫描并同步进行背景电阻加热，通过光热协同脱附使复合保护层分解，暴露出洁净的AlInGaAs刻蚀面，并完成InGaAsP材料层的选择性外延生长。本发明通过硫化物钝化保护层与硅氧烷基交联网络的复合结构实现机械强化，并结合光热协同脱附处理精确控制热分解过程，解决有源区侧壁氧化及脱附热应力问题。

本发明授权一种DFB激光器中有源区的防氧化处理方法在权利要求书中公布了：1.一种DFB激光器中有源区的防氧化处理方法，其特征在于，包括以下步骤： 在完成DFB激光器外延片的光栅制备后，通过干法刻蚀工艺刻蚀外延片，直至暴露出包含AlInGaAs材料的有源区侧壁，形成刻蚀面；对刻蚀面进行清洗后，浸入多硫化铵溶液中进行处理，在AlInGaAs材料表面形成硫化物钝化保护层； 对形成有硫化物钝化保护层的外延片，施加有机硅前驱体蒸汽与臭氧的混合气体进行气象处理，有机硅前驱体蒸汽与臭氧是分阶段通入的，其中：第一阶段通入富含臭氧的气体，对硫化物钝化保护层进行表面活化；第二阶段通入有机硅前驱体蒸汽与低浓度臭氧的混合气体，进行交联反应，其中，控制有机硅前驱体蒸汽的分压逐渐增高，分压从一初始低分压开始，在设定时长内线性递增至一目标分压，同时控制臭氧的分压维持在一恒定的低水平；第三阶段在达到目标分压后，停止通入有机硅前驱体蒸汽，继续通入含臭氧的混合气体，同时提高外延片的温度在原有基础上提升5℃～15℃，以完成交联网络的最终固化并促进未反应前驱体及副产物的挥发；在室温至60℃的条件下，使硫化物钝化保护层的表面及边缘区域形成一硅氧烷基交联网络，从而获得一经过机械强化的复合保护层； 在含磷源的保护性气氛中，采用近红外激光以脉冲扫描方式辐照外延片的整个表面，其中，近红外激光的波长被配置为对复合保护层具有高吸收率，而对下方的AlInGaAs材料吸收率低；同步采用背景电阻加热，进行光热协同脱附处理，使复合保护层发生热分解，暴露出洁净的AlInGaAs刻蚀面； 在光热协同脱附步骤完成后，在洁净的AlInGaAs刻蚀面上，选择性外延生长InGaAsP材料层，以覆盖并保护有源区侧壁，形成完整的波导结构。

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