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龙图腾网获悉江苏永鼎股份有限公司申请的专利一种VCSEL芯片氧化孔道的精确控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121332291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511877770.9，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种VCSEL芯片氧化孔道的精确控制方法是由周莉;张登巍;闫颖设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VCSEL芯片氧化孔道的精确控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种VCSEL芯片氧化孔道的精确控制方法，包括计算氧化过程中材料体积收缩导致的收缩应力分布，获得其在氧化孔道不同深度区域的分布参数；模拟收缩应力对氧化孔道形状和位置的影响，得到孔道的预测形变量和位置偏移量；以减小预测形变量和位置偏移量为目标，生成一组优化的氧化工艺参数；根据位置偏移量和收缩应力分布生成补偿后的氧化路径；采用优化的氧化工艺参数和补偿后的氧化路径执行氧化过程，并在氧化过程中实时监测反映应力状态的物理量，动态调整氧化工艺参数。本发明能够通过主动预测应力分布并进行前馈补偿，结合氧化过程的实时反馈调节，实现对孔道形状与位置的高精度、高稳定性控制。

本发明授权一种VCSEL芯片氧化孔道的精确控制方法在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL芯片氧化孔道的精确控制方法，其特征在于，包括以下步骤： 基于待氧化材料的材料特性数据，计算氧化过程中材料体积收缩导致的收缩应力分布，并获得其在氧化孔道不同深度区域的分布参数；包括：建立材料氧化进程与体积收缩率之间的对应关系图谱；根据对应关系图谱及目标氧化孔道的三维结构，将氧化过程离散为多个连续的时间阶段；针对每一时间阶段，依据当前的材料氧化状态，确定这一时间阶段由体积收缩引发的应变场；基于应变场，结合材料在不同应变状态下其内部抵抗变形的能力，解析出在氧化孔道不同深度区域所对应的收缩应力分布参数； 基于分布参数模拟收缩应力对氧化孔道形状和位置的影响，得到孔道的预测形变量和位置偏移量； 以减小预测形变量和位置偏移量为目标，对氧化工艺参数进行优化，生成一组优化的氧化工艺参数； 根据位置偏移量和收缩应力分布，对初始氧化路径进行修正，生成补偿后的氧化路径；包括：将位置偏移量分解为在垂直于氧化推进方向平面上的偏移向量；分析收缩应力分布的空间梯度，识别出导致位置偏移的主导应力区域及其方向；依据偏移向量和主导应力区域的方向，在初始氧化路径的对应空间位置上，施加一个方向相反、大小相关的反向路径修正量；将反向路径修正量平滑地集成到整个初始氧化路径中，形成一条从起始点到终点连续过渡的补偿后氧化路径； 采用优化的氧化工艺参数和补偿后的氧化路径执行氧化过程，并在氧化过程中实时监测反映应力状态的物理量；根据监测数据的波动趋势，动态调整氧化工艺参数，以稳定氧化孔道的形成过程。

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