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龙图腾网获悉苏州凌存科技有限公司申请的专利一种集成隔离电流传感器和电流测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121347864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511943095.5，技术领域涉及：G01R15/20；该发明授权一种集成隔离电流传感器和电流测量方法是由杨垒强;李岳升设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成隔离电流传感器和电流测量方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种集成隔离电流传感器和电流测量方法，属于电流传感技术领域。本申请提供的集成隔离电流传感器，包括：TMR传感单元，基于MTJ器件构建，用于感应被测电流产生的磁场，输出与磁场相关的电阻变化信号；MTJ型OTP存储器，与TMR传感单元采用相同结构的MTJ器件，并与TMR传感单元集成于同一芯片内；信号处理模块，信号处理模块的输入端与TMR传感单元连接，配置端与MTJ型OTP存储器连接，信号处理模块接收TMR传感单元输出的电阻变化信号，基于MTJ型OTP存储器存储的校准信息对电阻变化信号进行处理，输出测量信号。本申请可解决传统电流传感器因合封外部存储设备导致的成本高、工艺不兼容问题。

本发明授权一种集成隔离电流传感器和电流测量方法在权利要求书中公布了：1.一种集成隔离电流传感器，其特征在于，所述集成隔离电流传感器包括： TMR传感单元，所述TMR传感单元为MTJ器件，用于感应被测电流产生的磁场，输出与磁场相关的电阻变化信号； MTJ型OTP存储器，与所述TMR传感单元采用相同结构的MTJ器件，并与所述TMR传感单元集成于同一芯片内；其中，通过外部电路施加击穿电压实现MTJ型OTP存储器中MTJ器件的击穿操作后，所述MTJ器件的电阻值降低至小于TMR传感单元的工作区间的最小值，所述MTJ器件用于实现OTP存储单元功能，用于存储多个校准信息； 信号处理模块，所述信号处理模块的输入端与所述TMR传感单元连接，配置端与所述MTJ型OTP存储器连接，所述信号处理模块接收所述TMR传感单元输出的电阻变化信号，基于所述MTJ型OTP存储器存储的校准信息对所述电阻变化信号进行处理，校正TMR传感单元和信号处理模块的系统误差失配信息，输出测量信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州凌存科技有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区科营路2号中新生态大厦1706室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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