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龙图腾网获悉深圳市星耀半导体有限公司申请的专利基于高带宽内存的缓存优化方法、系统、电子设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121349907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511915426.4，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权基于高带宽内存的缓存优化方法、系统、电子设备及介质是由李志龙设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于高带宽内存的缓存优化方法、系统、电子设备及介质在说明书摘要公布了：一种基于高带宽内存的缓存优化方法、系统、电子设备及介质，涉及数据处理技术领域。该方法包括：通过获取NAND闪存数据块的访问频率、类型和时间间隔等访问数据，计算访问热度值并进行缓存优先级分类。根据各优先级的数据块数量，动态调整扩展缓存层与NAND闪存中缓存区的容量分配比例，确定待迁移数据块。利用硅中介层的TSV通孔阵列和交叉开关矩阵建立缓存通道，规划缓存优化路径。当缓存通道带宽使用率超过阈值时，根据偏差率调整优化路径。最后基于优化路径执行数据块的缓存迁移操作。实施本申请提供的技术方案，实现了闪存数据的智能缓存管理，能够提高存储系统的缓存效率。

本发明授权基于高带宽内存的缓存优化方法、系统、电子设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种基于高带宽内存的缓存优化方法，其特征在于，包括： 获取NAND闪存中各数据块的访问数据，所述访问数据包括访问频率、数据类型和访问时间间隔； 基于各所述访问数据，计算各所述数据块的访问热度值，并按照各所述访问热度值对各数据块进行缓存优先级分类，得到各所述数据块对应的缓存优先级； 根据各所述缓存优先级的数据块数量，调整预设扩展缓存层中扩展缓存区与所述NAND闪存中缓存区的容量分配比例，并根据调整后的容量分配比例和各所述数据块的缓存优先级，确定多个待迁移数据块； 通过硅中介层内集成的TSV通孔阵列和交叉开关矩阵，建立各所述待迁移数据块对应的缓存通道，并根据各所述缓存通道确定缓存优化路径，所述缓存通道用于预设扩展缓存层与NAND闪存之间的数据传输； 当任一缓存通道的传输带宽使用率超过带宽使用率阈值时，根据所述传输带宽使用率与所述带宽使用率阈值的偏差率，调整所述缓存优化路径； 基于所述缓存优化路径，执行各所述待迁移数据块的缓存迁移操作； 所述通过硅中介层内集成的TSV通孔阵列和交叉开关矩阵，建立各所述待迁移数据块对应的缓存通道，包括： 获取所述TSV通孔阵列中各TSV通孔的当前负载状态和所述交叉开关矩阵中各开关节点的连接状态； 根据各所述待迁移数据块的数据容量和缓存优先级，确定各所述待迁移数据块对应的通道带宽需求； 基于各所述通道带宽需求和各所述当前负载状态，在所述TSV通孔阵列中为各所述待迁移数据块分配对应的TSV通孔组； 针对每个所述数据块，根据所述数据块对应的TSV通孔组与各所述开关节点的连接状态，通过所述交叉开关矩阵配置从所述NAND闪存到所述预设扩展缓存层的开关路径，得到所述待迁移数据块对应的缓存通道。

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