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龙图腾网获悉深圳市创飞芯源半导体有限公司申请的专利静电保护器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358002B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511906930.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电保护器件及其制备方法是由杨旭刚;田月姣设计研发完成，并于2025-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电保护器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种静电保护器件及其制备方法，静电保护器件包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在半导体衬底中的第二导电类型掺杂区；形成在第二导电类型掺杂区中的第一导电类型掺杂区，其中，第一导电类型和第二导电类型相反；第二导电类型掺杂区与第一导电类型的半导体衬底形成第一PN结，第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区形成第二PN结，第一PN结的面积大于或等于第二导电类型掺杂区的平面面积，第二PN结的面积为第二导电类型掺杂区平面面积的50%以上。本发明解决了传统静电保护结构带来的半导体衬底表面凸起问题，同时具有较大的PN结面积，可使器件的保护能力大幅提升。

本发明授权静电保护器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种静电保护器件，其特征在于，所述静电保护器件包括： 第一导电类型的半导体衬底； 形成在所述半导体衬底中的第二导电类型掺杂区； 形成在所述第二导电类型掺杂区中的第一导电类型掺杂区，其中，所述第一导电类型和第二导电类型相反； 所述第二导电类型掺杂区与所述第一导电类型的半导体衬底形成第一PN结，所述第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区形成第二PN结，所述第一PN结的面积大于或等于所述第二导电类型掺杂区的平面面积，所述第二PN结的面积为所述第二导电类型掺杂区平面面积的50%以上； 还包括介质层，形成在所述第一导电类型的半导体衬底上，所述介质层中形成有开口，所述第一导电类型的掺杂区形成于所述开口内，第一导电类型掺杂区上形成有第二导电类型掺杂的多晶硅层，多晶硅层和介质层的顶面持平；所述介质层中还形成有接触孔，所述接触孔显露所述第二导电类型掺杂区，还包括第一连接层和第二连接层，形成在所述介质层上，第一连接层用于引出第二导电类型掺杂区，第二连接层用于引出第一导电类型掺杂区。

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