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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利n型4H-SiC外延生长控制方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368362B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511956926.2，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权n型4H-SiC外延生长控制方法、装置、电子设备及存储介质是由黄吉裕;毛朝斌;张南;罗骞设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本n型4H-SiC外延生长控制方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种n型4H‑SiC外延生长控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体材料外延生长技术领域。该方法的步骤包括：在外延层生长阶段，通过氢气将预先存储在掺杂源输入部的甲基肼液体中的甲基肼分子带出并输入到反应室中，以使甲基肼作为n型掺杂源在衬底上生长外延层。本发明的方法旨在解决现有技术中，采用氮气作为n型掺杂源时掺杂浓度一致性差，以及采用氨气作为n型掺杂源时气路系统复杂、设备成本高、操作维护难度大且可能引入污染风险的问题，本发明采用甲基肼作为掺杂源能够简化气路和精准调控掺杂浓度，同时可以减少氮元素在生长环境中的残留，从而有效降低外延层内氮元素浓度的波动，进而实现稳定掺杂。

本发明授权n型4H-SiC外延生长控制方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种n型4H-SiC外延生长控制方法，应用于外延生长控制系统，其特征在于，所述外延生长控制系统包括反应室1以及与所述反应室1连通的硅源输入部2、碳源输入部3、掺杂源输入部4和供气系统5；所述硅源输入部2为存储有三氯氢硅液体的第一鼓泡瓶；所述碳源输入部3为存储有乙烯气体的气体装置；所述掺杂源输入部4为存储有甲基肼液体的第二鼓泡瓶； 所述n型4H-SiC外延生长控制方法包括以下步骤： S1.将衬底放入所述反应室后，在刻蚀阶段，控制所述供气系统将氢气输入所述反应室并保持所述反应室的气压，直至完成刻蚀； S2.在缓冲层生长阶段，控制所述硅源输入部、所述碳源输入部和所述掺杂源输入部分别向所述反应室输入硅源、碳源和n型掺杂源，其中所述供气系统控制所述掺杂源输入部通过氢气将预先存储在所述掺杂源输入部的甲基肼液体中的甲基肼分子带出并输入到所述反应室中，以使甲基肼作为n型掺杂源在所述衬底上生长缓冲层，直至所述缓冲层完成生长；具体步骤包括： S21.在缓冲层生长阶段，通过所述供气系统控制氢气以流量为100sccm经过所述第一鼓泡瓶并通入所述反应室，且通过所述气体装置控制乙烯以流量为40sccm通入所述反应室，以及通过所述供气系统控制氢气以流量为5sccm经过所述第二鼓泡瓶并通入所述反应室，且保持所述反应室的气压稳定在100mbar，直至所述缓冲层完成生长； S3.在外延层生长阶段，分别调整所述硅源输入部、所述碳源输入部和所述掺杂源输入部的输入，其中所述供气系统控制所述掺杂源输入部通过氢气将预先存储在所述掺杂源输入部的甲基肼液体中的甲基肼分子带出并输入到所述反应室中，以使甲基肼作为n型掺杂源在所述衬底上生长外延层，直至所述外延层完成生长；具体步骤包括： S31.在外延层生长阶段，通过所述供气系统控制氢气以流量为300sccm经过所述第一鼓泡瓶并通入所述反应室，且通过所述气体装置控制乙烯以流量为150sccm通入所述反应室，以及通过所述供气系统控制氢气以流量为4sccm经过所述第二鼓泡瓶并通入所述反应室，且保持所述反应室的气压稳定在100mbar，直至所述外延层完成生长。

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