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山东工业陶瓷研究设计院有限公司朱保鑫获国家专利权

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龙图腾网获悉山东工业陶瓷研究设计院有限公司申请的专利一种低介电多孔氮化硅陶瓷天线罩及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121405483B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511989568.5,技术领域涉及:C04B35/591;该发明授权一种低介电多孔氮化硅陶瓷天线罩及其制备方法是由朱保鑫;盖莹;曹俊倡;姜立平;毕汝霞;王洪升;韦其红;邵长涛;王响设计研发完成,并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低介电多孔氮化硅陶瓷天线罩及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种低介电多孔氮化硅陶瓷天线罩及其制备方法,属于氮化硅陶瓷天线罩技术领域;所述制备方法包括包括制备天线罩罩体、喷涂氧化铝陶瓷层、喷涂改性有机硅树脂涂层;所述包覆氮化硅粉体步骤为,将正硅酸乙酯加入至无水乙醇中,搅拌均匀后,加入至氮化硅分散液中,控制温度为7‑8℃,加入完成后,搅拌反应3.5‑4.0h,25‑27℃搅拌10‑12h,得到包覆氮化硅粉体;本发明制得的天线罩,硬度和强度高,耐雨蚀性能优异,介电常数低。

本发明授权一种低介电多孔氮化硅陶瓷天线罩及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种低介电多孔氮化硅陶瓷天线罩的制备方法,其特征在于,包括制备天线罩罩体、喷涂氧化铝陶瓷层、喷涂改性有机硅树脂涂层步骤; 所述制备天线罩罩体,包括包覆氮化硅粉体、制备复合烧结助剂、制备陶瓷粉和成型烧结步骤; 所述包覆氮化硅粉体步骤为,将正硅酸乙酯加入至无水乙醇中,搅拌均匀后,加入至氮化硅分散液中,控制温度为7-8℃,加入完成后,搅拌反应3.5-4.0h,25-27℃搅拌10-12h,得到包覆氮化硅粉体; 所述制备复合烧结助剂步骤为,将柠檬酸加入至去离子水中,搅拌均匀后,加入至硝酸盐溶液中,控制温度为58-63℃,加入完成后,调节pH值为5.4-5.7,经陈化、蒸发、干燥后,在空气气氛下,800-810℃保温1.0-1.5h,1200-1250℃保温2.5-3.0h,得到复合烧结助剂; 所述硝酸盐溶液的制备方法为,将去离子水升高温度至60-62℃,加入YNO33·6H2O、LuNO33·6H2O、MgNO32·6H2O,搅拌均匀后,得到硝酸盐溶液; 所述喷涂氧化铝陶瓷层步骤包括,采用多层喷涂的方式,单层涂层厚度为20-50μm,重复喷涂至涂层厚度为0.1-0.3mm,148-152℃保温1.8-2.2h,得到初级天线罩; 所述喷涂改性有机硅树脂涂层,包括制备改性有机硅树脂、制备喷涂液和喷涂步骤; 所述制备改性有机硅树脂步骤为,将α,ω-二羟基聚二甲基硅氧烷、kH570硅烷偶联剂,在氮气气氛下,升高温度至88-90℃,保温搅拌1.6-2.0h,降低温度至80-83℃,加入单体混合液,控制加入速率为1.0-1.3gmin,加入完成后,升高温度至92-96℃,保温搅拌2.8-3.2h,降低温度至58-60℃,加入18-19g二甲苯,240-260rpm搅拌30-40min,降低至室温后,经过滤,得到改性有机硅树脂。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人山东工业陶瓷研究设计院有限公司,其通讯地址为:255000 山东省淄博市高新区裕民路128号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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