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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所;联光元和(上海)企业发展有限公司申请的专利光电共封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121410906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511971708.6，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权光电共封装结构及其封装方法是由肖克来提;张泗淇;黎明吉;张凯;刘道祥;陈吉设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电共封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种光电共封装结构及其封装方法，通过在转接板晶圆上设置通槽，使微电子制备工艺与光电子制备工艺解耦，允许转接板芯片、光芯片及电芯片独立制备，降低封装工艺复杂度，提高封装结构可靠性；光芯片的光耦合口和电耦合口可被高密度集成到光芯片的同一面实现信号引出，无需在光芯片上制备导电柱，降低光芯片的结构设计复杂度，缩短高频电信号互连线长度，并避免导电柱对光芯片性能造成影响；再者，转接板芯片上可以键合多个光芯片，并由转接板芯片统一输入输出光信号，不存在光纤排布干涉的问题，可以实现更高密度的光电集成；最后，光芯片采用环形键合的方式，光芯片表面不完全是键合面，非键合区域可对芯片表面平整度要求降低。

本发明授权光电共封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种光电共封装结构的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤： 提供一转接板晶圆及若干光芯片；其中，所述转接板晶圆沿厚度方向包括第一支撑层、光波导结构层及若干贯穿所述转接板晶圆的通槽，所述光波导结构层中包括若干个光波导，每个所述光波导的波导层两端均具有进行光信号交换的第一光学耦合器及第二光学耦合器；所述光芯片沿厚度方向依次包括第二支撑层、光子器件层及电极结构，所述光子器件层中设置有光子器件，且所述光子器件的两端均具有进行光信号交换的第三光学耦合器及第四光学耦合器，所述电极结构与所述光子器件耦合连接或直接连接； 将所有所述光芯片的所述光子器件层与所述转接板晶圆的所述光波导结构层键合；其中，每个所述光芯片对应环形键合在一个所述通槽的外周，并使所述电极结构裸露在所述通槽中，同时键合时所述第一光学耦合器分别与对应的所述第三光学耦合器及所述第四光学耦合器在水平方向的投影至少部分重叠； 提供若干电芯片，并将每个所述电芯片的一端通过所述通槽与对应的所述光芯片的所述电极结构键合连接；其中，所述电芯片包括第三支撑层及沿厚度方向贯穿所述第三支撑层的导电柱； 根据预设需求对所得结构进行划片，形成光转接板； 提供电互连载板，并将所述光转接板中的所述电芯片的另一端与所述电互连载板键合连接，得到光电共封装结构。

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