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龙图腾网获悉深圳市华芯半导体装备技术有限公司申请的专利一种半导体腔室加热器的温度控制方法、系统及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121411541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512005324.5，技术领域涉及：G05D23/20；该发明授权一种半导体腔室加热器的温度控制方法、系统及存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体腔室加热器的温度控制方法、系统及存储介质在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及温度控制技术领域，尤其涉及一种半导体腔室加热器的温度控制方法、系统及存储介质，加热器包括加热电阻，加热电阻与配置有标准测量通道的标准采样模块电连接，标准测量通道设有多个电压增益量程。本发明实施例利用候选电压增益量程对应的候选电压校准系数计算出加热电阻精确的电压测量值及利用候选电流码值对应的电流校准系数计算出加热电阻精确的电流测量值，如此，根据电压测量值和电流测量值计算出加热电阻精确的参考电阻值，从而能够根据参考电阻值获得加热电阻精确的参考温度值，精确地调整加热电阻的加热功率，提升加热电阻温度测量的准确性和稳定性，实现加热电阻温度的精确控制。

本发明授权一种半导体腔室加热器的温度控制方法、系统及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体腔室加热器的温度控制方法，其特征在于，所述加热器包括加热电阻，所述加热电阻与配置有标准测量通道的标准采样模块电连接，所述标准测量通道设有多个电压增益量程； 所述方法包括： 获取所述加热电阻的候选电压码值及候选电流码值，所述候选电压码值为所述标准采样模块通过所述标准测量通道在候选电压增益量程下对所述加热电阻进行电压采样而获得，所述候选电流码值为所述标准采样模块通过所述标准测量通道对所述加热电阻进行电流采样而获得，所述候选电压增益量程为多个所述电压增益量程中的任一个电压增益量程，每个所述电压增益量程对应一电压校准系数； 基于所述候选电压码值及所述候选电压增益量程对应的候选电压校准系数计算出所述加热电阻的电压测量值； 基于所述候选电流码值及电流校准数据，计算出所述加热电阻的电流测量值，所述电流校准数据表征所述候选电流码值对应的电流校准系数； 将所述电压测量值除以所述电流测量值，得到所述加热电阻的参考电阻值； 基于所述参考电阻值及所述加热电阻的温度电阻曲线，获得所述加热电阻的参考温度值，所述温度电阻曲线用于表征所述加热电阻的电阻与温度的对应关系； 基于所述参考温度值，调节所述加热电阻的加热功率。

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