北京大学深圳研究生院陆磊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利一种半导体器件及其制备方法以及一种电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512016950.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种半导体器件及其制备方法以及一种电子设备是由陆磊;刘晋闻;丁渊;秦锋;张盛东;李潇;杨圣杰;谢锋;王吉晟设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法以及一种电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体领域中一种半导体器件，包括衬底；位于衬底上方的源漏区，以及位于源漏区之间的第一氧化物半导体，源漏区只与第一氧化物半导体侧面的一部分接触，其中第一氧化物半导体厚度大于源漏区的厚度，其中源漏区之间的沟道长度小于5μm；位于第一氧化物半导体上方的栅介质；位于栅介质上方的栅电极；位于衬底、源漏区和栅电极上方，并包围栅电极、栅介质、和部分第一氧化物半导体侧面的钝化层；源电极和漏电极通过开孔分别与源漏区接触；其中，源漏区包括与第一氧化物半导体相同的材料，但是经过处理后载流子浓度远高于第一氧化物半导体中载流子的浓度。本申请还包括半导体器件制备方法和电子设备。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法以及一种电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括 衬底； 位于所述衬底上方的源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的第一氧化物半导体，所述源区和漏区只与所述第一氧化物半导体侧面的一部分接触，其中所述第一氧化物半导体厚度大于源漏区的厚度，其中源区和漏区之间的沟道长度小于5μm； 位于所述第一氧化物半导体上方的第二氧化物半导体，并且所述第二氧化物半导体的迁移率高于第一氧化物半导体，所述源区和漏区与所述第二氧化物半导体无接触； 位于所述第二氧化物半导体上方的栅介质； 位于所述栅介质上方的栅电极； 位于衬底、源漏区和栅电极上方，并包围所述栅电极、栅介质、和部分第一氧化物半导体侧面的钝化层； 源电极和漏电极通过钝化层的开孔分别与源区和漏区接触； 其中，所述源区和所述漏区包括与所述第一氧化物半导体相同的材料，源区和漏区的载流子浓度远高于所述第一氧化物半导体中载流子的浓度。
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