买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种减少翘曲的LED外延片生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512020089.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种减少翘曲的LED外延片生长方法是由张银桥;周珊;曾世煜;吴志鹏;叶芊芊;王建红设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减少翘曲的LED外延片生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电子器件制造领域，具体涉及一种减少翘曲的LED外延片生长方法。包括：采用MOCVD工艺，先在衬底上低温生长成核层并退火形成三维岛状结构以释放应力；继而生长AlGaNGaN超晶格或渐变层作为梯度缓冲层，逐层调节晶格常数；在生长n‑GaN前插入重掺杂或共掺杂层，利用局部压应力预偿热应力；最后连续生长器件层并经原位热处理，获得LED外延片。本发明有效抵消了降温过程中因热膨胀系数差异引发的宏观张应力，极大提升了外延片的完整性。

本发明授权一种减少翘曲的LED外延片生长方法在权利要求书中公布了：1.一种减少翘曲的LED外延片生长方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用金属有机化学气相沉积工艺，在衬底上生长成核层并进行退火处理，诱导形成三维岛状结构；在所述三维岛状结构之上生长AlGaNGaN超晶格或组分渐变层作为梯度缓冲层；在梯度缓冲层之上生长预应力插入层，通过低温生长结合原位热循环的调制掺杂形成；在预应力插入层之上连续生长器件层，利用原位热处理促进化学反应，得到LED外延片； 其中，生长成核层及三维岛状结构包括以下步骤： 在衬底上低温生长成核层，随后进行高温退火和粗化处理，诱导形成三维岛状结构；利用所述三维岛状结构及其空隙作为应力释放中心，在晶格失配处吸收形变能量； 其中，生长梯度缓冲层包括以下步骤： 生长多周期的AlGaNGaN超晶格结构或组分渐变层，通过精确控制三甲基铝和三甲基镓的流量比例，实现晶格常数的逐层调节； 其中，生长预应力插入层包括以下步骤： 在正式生长n-GaN层之前，插入一层Si掺杂浓度为至的Si-In共掺杂的插入层；利用铟原子与基质原子的半径差异产生的局部压应力，预先补偿降温过程中产生的宏观热应力； 所述预应力插入层的厚度为至，且生长温度控制在750°C至850°C之间； 生长温度降低至，其中Si的掺杂浓度控制在，In源的流量控制在，利用铟原子的占位效应产生的微观应力场，预先补偿了降温过程中由热膨胀系数差异产生的宏观热应力； 所述调制掺杂采用Si-In共掺的方式，根据衬底热膨胀系数与外延层的差异调节Si与In的相对比例；利用Si原子引入微观张应力或利用In原子引入微观压应力，以定向抵消降温过程中因热膨胀系数失配产生的宏观应力； 其中Si的掺杂浓度控制在，In源的流量控制在，通过控制TMIn与TMGa的摩尔流量比在至之间，利用铟原子与基质原子的半径差异产生的局部压应力，以抵消热膨胀系数差异导致的晶格失配应力。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门银科启瑞半导体科技有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市厦门火炬高新区石墨烯新材料产业园五显路866-8号101A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。