华中科技大学王兴晟获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种忆阻器差分对权重写入方法、忆阻器阵列及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121436065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512038333.4，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种忆阻器差分对权重写入方法、忆阻器阵列及应用是由王兴晟;王晓帆;李楠;李奔;缪向水设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种忆阻器差分对权重写入方法、忆阻器阵列及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种忆阻器差分对权重写入方法、忆阻器阵列及应用，包括：对获取构成差分对的第一忆阻器和第二忆阻器的稳定电导态；通过调整字线电压向第一忆阻器写入第一目标电导值；通过调整字线电压向第二忆阻器写入第二目标电导值；通过调整字线电压，向第二忆阻器上下电极之间连续施加多个幅值按梯度渐进方式增加的激励脉冲，使第二忆阻器的实测电导值等于第二目标电导值；根据第一忆阻器的实测电导值与第二忆阻器的实测电导值的差值和目标差分电导值的差判断写入误差，通过重复执行上述步骤使得写入误差小于目标误差。本发明中通过引入偏置电导分量优化目标值，应用梯度渐进脉冲与多次写验证相结合的策略，实现电导值的稳定、精确收敛。
本发明授权一种忆阻器差分对权重写入方法、忆阻器阵列及应用在权利要求书中公布了：1.一种忆阻器差分对权重写入方法，其特征在于，包括： S1：对构成差分对的第一忆阻器和第二忆阻器进行复位，获取第一忆阻器和第二忆阻器的稳定电导态； S2：通过调整字线电压向第一忆阻器写入第一目标电导值，其中第一目标电导值等于第二忆阻器的稳定电导态、待写入的目标差分电导值和预设的偏置电导分量之和； S3：通过调整字线电压向第二忆阻器写入第二目标电导值，其中第二目标电导值等于第一忆阻器实测电导值与待写入的目标差分电导值之差； S4：通过调整字线电压，向第二忆阻器上下电极之间连续施加多个幅值按梯度渐进方式增加的激励脉冲，使第二忆阻器的实测电导值等于第二目标电导值，其中，当第二忆阻器的实测电导值等于第二目标电导值时，停止施加激励脉冲； S5：根据第一忆阻器的实测电导值与第二忆阻器的实测电导值的差值和目标差分电导值的差判断写入误差，通过重复执行S2至S4使得写入误差小于目标误差。
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