上海车仪田科技有限公司刘新阳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海车仪田科技有限公司申请的专利半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121451288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512035147.5，技术领域涉及：G06F30/28；该发明授权半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品是由刘新阳;张黎明设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品，涉及半导体检测技术领域，本申请通过基于当前工艺参数和预存气体分子光谱吸收数据库计算气相组分的吸收特性参数，并进一步得到探测光路的气相透射率，对半导体外延生长过程中的实测反射光谱进行定量补偿，使补偿后的目标反射谱更接近半导体外延膜的真实光学响应，从而有效削弱气相吸收叠加造成的谱形畸变与系统误差，显著提高反演的生长参数的准确性与稳定性。进一步地，定量补偿的数值可根据工况波动自适应更新，降低了工况漂移引入的反演偏差，提升过程一致性与可比性，便于实现更可靠的终点控制和参数闭环优化。
本发明授权半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延生长参数的反演方法，其特征在于，所述方法包括: 获取反射光谱数据和实时工艺参数；其中，所述反射光谱数据是基于半导体外延生长过程中产生的反射光信号生成的； 基于所述实时工艺参数和预存的气体分子光谱吸收数据库，计算气相组分的吸收特性参数；所述吸收特性参数包括有效浓度和吸收截面； 根据所述吸收特性参数，计算探测光路的气相透射率； 基于所述气相透射率，对所述反射光谱数据进行补偿，得到目标反射谱； 基于所述目标反射谱，反演得到半导体外延生长的生长参数。
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